5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IRLB8748PBF
IRLB8748PBF PDF预览

IRLB8748PBF

更新时间： 2024-09-27 05:39:31
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
9页 265K
描述
HEXFET Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

IRLB8748PBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：15 weeks
风险等级：1.13雪崩能效等级（Eas）：114 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：92 A
最大漏极电流 (ID)：78 A最大漏源导通电阻：0.0048 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：75 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：370 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRLB8748PBF 数据手册

 浏览型号IRLB8748PBF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRLB8748PBF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRLB8748PBF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRLB8748PBF的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRLB8748PBF的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRLB8748PBF的Datasheet PDF文件第7页 
PD - 96231  
IRLB8748PbF  
HEXFET® Power MOSFET  
Applications  
l Optimized for UPS/Inverter Applications  
l High Frequency Synchronous Buck  
Converters for Computer Processor Power  
l High Frequency Isolated DC-DC  
Converters with Synchronous Rectification  
for Telecom and Industrial use  
VDSS RDS(on) max  
Qg  
15nC  
4.8m  
30V  
D
S
D
G
Benefits  
TO-220AB  
l Very Low RDS(on) at 4.5V VGS  
l Ultra-Low Gate Impedance  
l Fully Characterized Avalanche Voltage  
and Current  
IRLB8748PbF  
G
D
S
Gate  
Drain  
Source  
l Lead-Free  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
VDS  
30  
Drain-to-Source Voltage  
Gate-to-Source Voltage  
V
± 20  
V
GS  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Package Limited)  
Pulsed Drain Current  
92  
I
I
I
I
@ TC = 25°C  
D
D
D
65  
@ TC = 100°C  
@ TC = 25°C  
A
78  
370  
DM  
75  
38  
Maximum Power Dissipation  
P
P
@TC = 25°C  
D
D
W
@TC = 100°C Maximum Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
0.5  
W/°C  
-55 to + 175  
T
T
Operating Junction and  
J
Storage Temperature Range  
°C  
STG  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting Torque, 6-32 or M3 screw  
300 (1.6mm from case)  
10 lbf  
in (1.1N m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
0.5  
Max.  
2.0  
Units  
RθJC  
Junction-to-Case  
RθCS  
RθJA  
–––  
62  
°C/W  
Case-to-Sink, Flat Greased Surface  
Junction-to-Ambient  
–––  
Notes through ‡ are on page 9  
www.irf.com  
1
04/22/09  
1234567...9

中文翻译

下载PDF

与IRLB8748PBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRLBA1304 INFINEON

获取价格

 		Power MOSFET
IRLBA1304/P ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 185A I(D) | TO-220VAR
IRLBA1304P INFINEON

获取价格

 		HEXFET® Power MOSFET
IRLBA1304PBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 95A I(D), 40V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRLBA1304PPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 95A I(D), 40V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRLBA3803 INFINEON

获取价格

 		HEXFET Power MOSFET
IRLBA3803/P INFINEON

获取价格

 		30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Super 220 (TO-273AA) package
IRLBA3803P INFINEON

获取价格

 		30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Super 220 (TO-273AA) package
IRLBA3803PBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 179A I(D), 30V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRLBA3803PPBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET® Power MOSFET

与IRLB8748PBF相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证