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IRLB8748PBF

更新时间： 2024-11-21 05:39:31
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9页 265K
描述
HEXFET Power MOSFET

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IRLB8748PBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：15 weeks
风险等级：1.13雪崩能效等级（Eas）：114 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：92 A
最大漏极电流 (ID)：78 A最大漏源导通电阻：0.0048 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：75 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：370 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRLB8748PBF 数据手册

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PD - 96231  
IRLB8748PbF  
HEXFET® Power MOSFET  
Applications  
l Optimized for UPS/Inverter Applications  
l High Frequency Synchronous Buck  
Converters for Computer Processor Power  
l High Frequency Isolated DC-DC  
Converters with Synchronous Rectification  
for Telecom and Industrial use  
VDSS RDS(on) max  
Qg  
15nC  
4.8m  
30V  
D
S
D
G
Benefits  
TO-220AB  
l Very Low RDS(on) at 4.5V VGS  
l Ultra-Low Gate Impedance  
l Fully Characterized Avalanche Voltage  
and Current  
IRLB8748PbF  
G
D
S
Gate  
Drain  
Source  
l Lead-Free  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
VDS  
30  
Drain-to-Source Voltage  
Gate-to-Source Voltage  
V
± 20  
V
GS  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Package Limited)  
Pulsed Drain Current  
92  
I
I
I
I
@ TC = 25°C  
D
D
D
65  
@ TC = 100°C  
@ TC = 25°C  
A
78  
370  
DM  
75  
38  
Maximum Power Dissipation  
P
P
@TC = 25°C  
D
D
W
@TC = 100°C Maximum Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
0.5  
W/°C  
-55 to + 175  
T
T
Operating Junction and  
J
Storage Temperature Range  
°C  
STG  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting Torque, 6-32 or M3 screw  
300 (1.6mm from case)  
10 lbf  
in (1.1N m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
0.5  
Max.  
2.0  
Units  
RθJC  
Junction-to-Case  
RθCS  
RθJA  
–––  
62  
°C/W  
Case-to-Sink, Flat Greased Surface  
Junction-to-Ambient  
–––  
Notes through ‡ are on page 9  
www.irf.com  
1
04/22/09  
1234567...9

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