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IRLBA3803

更新时间： 2024-11-20 22:48:03
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 120K
描述
HEXFET Power MOSFET

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IRLBA3803 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SUPER-220, 3 PINReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.21
其他特性：HIGH RELIABILITY, AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE雪崩能效等级（Eas）：610 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：179 A最大漏极电流 (ID)：179 A
最大漏源导通电阻：0.005 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：270 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：720 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRLBA3803 数据手册

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PD - 91841C  
IRLBA3803  
HEXFET® Power MOSFET  
●
●
●
●
●
●
Logic-LevelGateDrive  
D
Advanced Process Technology  
175°COperatingTemperature  
Fast Switching  
Fully Avalanche Rated  
Purchase IRLBA3803/P for solder plated option.  
VDSS = 30V  
R
DS(on) = 0.005Ω  
G
ID = 179A†  
S
Description  
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing  
techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit,  
combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET  
Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely  
efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.  
The Super-220 is a package that has been designed to have the same mechanical  
outline and pinout as the industry standard TO-220 but can house a considerably  
larger silicon die. It has increased current handling capability over both the TO-220  
and the much larger TO-247 package. This makes it ideal to reduce component  
count in multiparalled TO-220 applications, reduce system power dissipation,  
upgrade existing designs or have TO-247 performance in a TO-220 outline.  
Super - 220  
This package has also been designed to meet automotive qualification standard  
Q101.  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
179 †  
126†  
720  
270  
1.8  
Units  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current   
A
PD @TC = 25°C  
Power Dissipation  
W
W/°C  
V
Linear Derating Factor  
VGS  
EAS  
IAR  
Gate-to-Source Voltage  
±16  
610  
71  
Single Pulse Avalanche Energy‚ꢀ  
Avalanche Currentꢀ  
mJ  
A
EAR  
dv/dt  
TJ  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒꢀ  
Operating Junction and  
27  
mJ  
V/ns  
5.0  
-55 to + 175  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Recommended clip force  
°C  
300 (1.6mm from case )  
20  
N
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
–––  
0.5  
Max.  
Units  
°C/W  
1
RθJC  
0.55  
–––  
58  
RθCS  
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface  
Junction-to-Ambient  
RθJA  
–––  
www.irf.com  
05/20/02  
12345678

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与IRLBA3803相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRLBA3803/P INFINEON

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 		30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Super 220 (TO-273AA) package
IRLBA3803P INFINEON

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 		30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Super 220 (TO-273AA) package
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