IRLD024PBF

更新时间： 2024-09-29 05:39:31

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
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Power MOSFET

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IRLD024PBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DIP
包装说明：	IN-LINE, R-PDIP-T4	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	Factory Lead Time：	6 weeks
风险等级：	0.76	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	雪崩能效等级（Eas）：	91 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2.5 A	最大漏极电流 (ID)：	2.5 A
最大漏源导通电阻：	0.1 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDIP-T4	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1.3 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	20 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Powers
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRLD024PBF 数据手册

IRLD024, SiHLD024

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Dynamic dV/dt Rating

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

Available

• For Automatic Insertion

• End Stackable

_DS(on)(Ω)

V_GS= 5.0 V

0.10

RoHS*

Q_g(Max.) (nC)

4.5

COMPLIANT

• Logic-Level Gate Drive

• R_DS(on)Specified at V_GS= 4 V and 5 V

• 175 °C Operating Temperature

• Fast Switching

_gs(nC)

_gd(nC)

Configuration

Single

• Lead (Pb)-free Available

HEXDIP

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The 4 pin DIP package is a low cost machine-insertiable

case style which can be stacked in multiple combinations on

standard 0.1" pin centers. The dual drain servers as a

thermal link to the mounting surface for power dissipation

levels up to 1 W.

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

HEXDIP

IRLD024PbF

SiHLD024-E3

IRLD024

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHLD024

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

T_C= 25 °C

T_C=100°C

2.5

Continuous Drain Current

V_GSat 5.0 V

I_D

1.8

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

0.0083

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Maximum Power Dissipation

E_AS

P_D

_C= 25 °C

1.3

Peak Diode Recovery dV/dt^c

dV/dt

T_J, T_stg

4.5

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

- 55 to + 175

300^d

°C

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= 25 V, starting T_J= 25 °C, L = 16 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= 2.5 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 17 A, dI/dt ≤ 140 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 175 °C.

d. 1.6 mm from case.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91308

S-81378-Rev. A, 07-Jul-08

www.vishay.com

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