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IRL2703PBF

更新时间: 2024-11-21 04:08:07
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英飞凌 - INFINEON /
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8页 214K
描述
HEXFET Power MOSFET

IRL2703PBF 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:End Of Life
包装说明:LEAD FREE PACKAGE-3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.44
其他特性:LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED雪崩能效等级(Eas):77 mJ
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:30 V最大漏极电流 (Abs) (ID):24 A
最大漏极电流 (ID):24 A最大漏源导通电阻:0.04 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:175 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):250
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):45 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):96 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
端子面层:Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

IRL2703PBF 数据手册

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PD - 95368  
IRL2703PbF  
Lead-Free  
www.irf.com  
1
6/17/04  

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