5秒后页面跳转
IRL2703PBF PDF预览

IRL2703PBF

更新时间: 2024-10-01 04:08:07
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
8页 214K
描述
HEXFET Power MOSFET

IRL2703PBF 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:End Of Life
包装说明:LEAD FREE PACKAGE-3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.44
其他特性:LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED雪崩能效等级(Eas):77 mJ
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:30 V最大漏极电流 (Abs) (ID):24 A
最大漏极电流 (ID):24 A最大漏源导通电阻:0.04 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:175 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):250
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):45 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):96 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
端子面层:Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

IRL2703PBF 数据手册

 浏览型号IRL2703PBF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRL2703PBF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRL2703PBF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRL2703PBF的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRL2703PBF的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRL2703PBF的Datasheet PDF文件第7页 
PD - 95368  
IRL2703PbF  
Lead-Free  
www.irf.com  
1
6/17/04  

IRL2703PBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRLB8721PBF INFINEON

类似代替

HEXFET Power MOSFET
IRL2703 INFINEON

功能相似

HEXFET Power MOSFET

与IRL2703PBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRL2703S FREESCALE

获取价格

1.5 A Switch-Mode Power Supply with Linear Regulator
IRL2703S INFINEON

获取价格

HEXFET Power MOSFET
IRL2703SPBF INFINEON

获取价格

HEXFET㈢ Power MOSFET
IRL2910 INFINEON

获取价格

HEXFET Power MOSFET
IRL2910-011 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 100V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRL2910L INFINEON

获取价格

HEXFET POWER MOSFET
IRL2910LPBF INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 100V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRL2910N ETC

获取价格

IRL2910PBF INFINEON

获取价格

HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 100V , RDS(on) =
IRL2910S INFINEON

获取价格

HEXFET POWER MOSFET