IRL2910SPBF

更新时间： 2024-11-25 04:08:07

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HEXFET㈢ Power MOSFET

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IRL2910SPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	1 week
风险等级：	5.22

IRL2910SPBF 数据手册

PD - 95149

IRL2910S/LPbF

HEXFET^®Power MOSFET

l Logic-Level Gate Drive

l Surface Mount

l Advanced Process Technology

l Ultra Low On-Resistance

l Dynamic dv/dt Rating

l Fast Switching

V_DSS= 100V

R_DS(on)= 0.026Ω

l Fully Avalanche Rated

l Lead-Free

I_D= 55A

Description

Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier

utilize advanced processing techniques to achieve

extremely low on-resistance per silicon area. This

benefit, combined with the fast switching speed and

ruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETs

arewellknownfor,providesthedesignerwithanextremely

efficient and reliable device for use in a wide variety of

applications.

The D²Pak is a surface mount power package capable of

accommodating die sizes up to HEX-4. It provides the

highest power capability and the lowest possible on-

resistance in any existing surface mount package. The

D²Pak is suitable for high current applications because of

itslowinternalconnectionresistanceandcandissipateup

to 2.0W in a typical surface mount application.

The through-hole version (IRL2910L) is available for low-

profile applications.

T O -262

Pak

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

190

3.8

200

1.3

± 16

520

Units

I_D@ T_C= 25°C

I_D@ T_C= 100°C

I_DM

Continuous Drain Current, V_GS@ 10Vꢀ

Pulsed Drain Current ꢀ

P_D@T_A= 25°C

P_D@T_C= 25°C

Power Dissipation

Linear Derating Factor

W/°C

V_GS

E_AS

I_AR

Gate-to-Source Voltage

Single Pulse Avalanche Energyꢀ

Avalanche Current

E_AR

dv/dt

T_J

Repetitive Avalanche Energy

Peak Diode Recovery dv/dt ꢀ

Operating Junction and

V/ns

5.0

-55 to + 175

T_STG

Storage Temperature Range

Soldering Temperature, for 10 seconds

°C

300 (1.6mm from case )

Thermal Resistance

Parameter

Junction-to-Case

Typ.

–––

Max.

0.75

Units

R_θJC

R_θJA

°C/W

Junction-to-Ambient ( PCB Mounted,steady-state)**

–––

04/19/04

12 3 4 5 6 7...11

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IRL2910SPBF 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRL2910STRRPBF	INFINEON	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 100V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRLS4030PBF	INFINEON	功能相似	HEXFET Power MOSFET

与IRL2910SPBF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRL2910STRL	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 100V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRL2910STRR	INFINEON	获取价格	暂无描述
IRL2910STRRPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 100V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRL3102	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)=0.013ohm, Id=61A)
IRL3102-003	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 61A I(D), 20V, 0.013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRL3102-006	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 61A I(D), 20V, 0.013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRL3102LPBF	INFINEON	获取价格	暂无描述
IRL3102PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRL3102S	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)=0.013w, Id=61A)
IRL3102SPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET

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