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IRL3103

更新时间： 2024-11-24 22:33:39
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲数据分配系统局域网
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8页 214K
描述
Power MOSFET(Vdds=30V, Rds(on)=12mohm, Id=64A)

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IRL3103 数据手册

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PD - 91337  
IRL3103  
HEXFET® Power MOSFET  
l Advanced Process Technology  
l Ultra Low On-Resistance  
l Dynamic dv/dt Rating  
D
VDSS = 30V  
l 175°C Operating Temperature  
l Fast Switching  
RDS(on) = 12mΩ  
G
l Fully Avalanche Rated  
ID = 64A  
S
Description  
AdvancedHEXFET® PowerMOSFETsfromInternational  
Rectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieve  
extremelylowon-resistancepersiliconarea. Thisbenefit,  
combined with the fast switching speed and ruggedized  
device design that HEXFET power MOSFETs are well  
knownfor,providesthedesignerwithanextremelyefficient  
andreliabledeviceforuseinawidevarietyofapplications.  
The TO-220 package is universally preferred for all  
commercial-industrial applications at power dissipation  
levels to approximately 50 watts. The low thermal  
resistance and low package cost of the TO-220 contribute  
to its wide acceptance throughout the industry.  
TO-220AB  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current   
64  
45  
A
220  
PD @TC = 25°C  
Power Dissipation  
94  
0.63  
W
W/°C  
V
Linear Derating Factor  
VGS  
IAR  
Gate-to-Source Voltage  
± 16  
Avalanche Current  
34  
A
EAR  
dv/dt  
TJ  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒ  
Operating Junction and  
22  
mJ  
V/ns  
5.0  
-55 to + 175  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting torque, 6-32 or M3 srew  
°C  
300 (1.6mm from case )  
10 lbf•in (1.1N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
–––  
Max.  
Units  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
1.6  
–––  
62  
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface  
Junction-to-Ambient  
0.50  
–––  
°C/W  
www.irf.com  
1
3/16/01  
12345678

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IRL3103 替代型号

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IRL3103-030 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 30V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
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