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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRL2910 | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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| IRL2910-011 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 100V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRL2910L | INFINEON |
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HEXFET POWER MOSFET |
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| IRL2910LPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 100V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRL2910N | ETC |
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| IRL2910PBF | INFINEON |
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HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 100V , RDS(on) = |
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| IRL2910S | INFINEON |
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HEXFET POWER MOSFET |
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| IRL2910SPBF | INFINEON |
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HEXFET㈢ Power MOSFET |
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| IRL2910STRL | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 100V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRL2910STRR | INFINEON |
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暂无描述 |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
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