是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | TO-262AA |
包装说明: | IN-LINE, R-PSIP-T3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
Factory Lead Time: | 18 weeks | 风险等级: | 5.69 |
Is Samacsys: | N | 雪崩能效等级(Eas): | 900 mJ |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 120 V |
最大漏极电流 (ID): | 120 A | 最大漏源导通电阻: | 0.0041 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-262AA |
JESD-30 代码: | R-PSIP-T3 | JESD-609代码: | e3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 175 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 480 A |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin (Sn) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IPI045N10N3 G | INFINEON |
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英飞凌的 100V OptiMOS™ 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SM | |
IPI045N10N3G | INFINEON |
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OptiMOS?3 Power-Transistor | |
IPI04CN10NG | INFINEON |
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OptiMOS™2 Power-Transistor | |
IPI04CN10NGXKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 100V, 0.0042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, | |
IPI04N03LA | INFINEON |
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OptiMOS 2 Power-Transistor | |
IPI04N03LA_07 | INFINEON |
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OptiMOS®2 Power-Transistor | |
IPI051N15N5 | INFINEON |
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英飞凌推出的 OptiMOS?5 150V 功率 MOSFET 特别适合叉车和电动脚踏车等 | |
IPI052NE7N3G | INFINEON |
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OptiMOS3 Power-Transistor | |
IPI054NE8NG | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 161A I(D), 85V, 0.0054ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
IPI057N08N3G | INFINEON |
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OptiMOS 3 Power-Transistor Features N-channel, normal level |