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IPI037N06L3GXKSA1

更新时间： 2024-11-18 21:14:35
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 993K
描述
Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 60V, 0.0037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, GREEN, PLASTIC, TO-262, I2PAK-3

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IPI037N06L3GXKSA1 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.84其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：165 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (ID)：90 A
最大漏源导通电阻：0.0037 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-262AAJESD-30 代码：R-PSIP-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：360 A
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IPI037N06L3GXKSA1 数据手册

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IPB034N06L3 G IPI037N06L3 G  
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Product Summary  
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Package  
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Maximum ratings, 2 E T Wꢑ ꢎ ꢒ Uꢂ ꢈ F? =6DD @E96CH:D6 DA64:7:65  
Value  
Parameter  
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