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IPI037N06L3GHKSA1

更新时间： 2024-11-18 21:19:07

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
11页	995K
描述
Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 60V, 0.0037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, GREEN, PLASTIC, TO-262, I2PAK-3

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IPI037N06L3GHKSA1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.84
其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	雪崩能效等级（Eas）：	165 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	90 A	最大漏极电流 (ID)：	90 A
最大漏源导通电阻：	0.0037 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-262AA	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	167 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	360 A
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IPI037N06L3GHKSA1 数据手册

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