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| 生命周期： | Active | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.76 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 640 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 75 V | 最大漏极电流 (ID)： | 100 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0034 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-262AA | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 400 A | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPI037N06L3G | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 60V, 0.0037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IPI037N06L3GHKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 60V, 0.0037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IPI037N06L3GXKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 60V, 0.0037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IPI037N08N3G | INFINEON |
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OptiMOS3 Power-Transistor |
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| IPI03N03LA | INFINEON |
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OptiMOS 2 Power-Transistor |
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| IPI040N06N3 G | INFINEON |
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OptiMOS ? 60V 是交换模式电源 (SMPS)中的同步整流的理想之选，例如服务器 |
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| IPI040N06N3G | INFINEON |
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OptiMOS™3 Power-Transistor Features for sync. |
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| IPI040N06N3GE8174 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 60V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IPI040N06N3GXKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 60V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IPI041N12N3 G | INFINEON |
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120V OptiMOS™ 系列提供业内最低导通电阻和最快开关性能，适用于各种应用，支持实 |
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