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IPI037N06L3G

更新时间： 2024-11-18 21:14:35

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
11页	993K
描述
Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 60V, 0.0037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, GREEN, PLASTIC, TO-262, I2PAK-3

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IPI037N06L3G 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-262AA
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.82	其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：	165 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	90 A
最大漏极电流 (ID)：	90 A	最大漏源导通电阻：	0.0037 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-262AA
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	167 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	360 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IPI037N06L3G 数据手册

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IPP037N06L3 G

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Product Summary

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Features

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IPI037N06L3G 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IPP037N06L3GXKSA1	INFINEON	完全替代	Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 60V, 0.0037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPP037N06L3G	INFINEON	类似代替	Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 60V, 0.0037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

与IPI037N06L3G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IPI037N06L3GHKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 60V, 0.0037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPI037N06L3GXKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 60V, 0.0037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPI037N08N3G	INFINEON	获取价格	OptiMOS3 Power-Transistor
IPI03N03LA	INFINEON	获取价格	OptiMOS 2 Power-Transistor
IPI040N06N3 G	INFINEON	获取价格	OptiMOS ? 60V 是交换模式电源 (SMPS)中的同步整流的理想之选，例如服务器
IPI040N06N3G	INFINEON	获取价格	OptiMOS™3 Power-Transistor Features for sync.
IPI040N06N3GE8174	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 60V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IPI040N06N3GXKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 60V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IPI041N12N3 G	INFINEON	获取价格	120V OptiMOS™ 系列提供业内最低导通电阻和最快开关性能，适用于各种应用，支持实
IPI041N12N3G	INFINEON	获取价格	OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)

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