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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 1.73 | 雪崩能效等级（Eas）： | 130 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (ID)： | 20 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.022 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-F6 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 6 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 80 A | 参考标准： | AEC-Q101 |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPG20N10S4L22AATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.022ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IPG20N10S4L22ATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IPG20N10S4L-35 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor |
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| IPG20N10S4L-35A | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.035ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IPG20N10S4L35ATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IPI020N06N | INFINEON |
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New OptiMOS⢠40V and 60V |
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| IPI023NE7N3G | INFINEON |
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OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) |
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| IPI024N06N3 G | INFINEON |
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OptiMOS ? 60V 是交换模式电源 (SMPS)中的同步整流的理想之选，例如服务器 |
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| IPI024N06N3G | INFINEON |
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OptiMOS™3 Power-Transistor Features Ideal for |
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| IPI028N08N3G | INFINEON |
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OptiMOS®3 Power-Transistor Features Excellent |
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