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IPG20N06S4L26ATMA1

更新时间： 2024-02-28 23:14:57

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	147K
描述
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.026ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TDSON-8

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IPG20N06S4L26ATMA1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	1.58
雪崩能效等级（Eas）：	35 mJ	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	20 A
最大漏源导通电阻：	0.026 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-F8	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	80 A
参考标准：	AEC-Q101	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IPG20N06S4L26ATMA1 数据手册

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IPG20N06S4L-26

OptiMOS™-T2 Power-Transistor

Product Summary

V _DS

R _DS(on),max

I _D

Features

• Dual N-channel Logic Level - Enhancement mode

PG-TDSON-8-4

• AEC Q101 qualified

• MSL1 up to 260°C peak reflow

• 175°C operating temperature

• Green Product (RoHS compliant)

• 100% Avalanche tested

Type

Package

Marking

IPG20N06S4L-26

PG-TDSON-8-4 4N06L26

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol

Conditions

Unit

Continuous drain current

one channel active

T _C=25 °C, V _GS=10 V¹⁾

I _D

T _C=100 °C,

V _GS=10 V²⁾

Pulsed drain current²⁾

one channel active

I _D,pulse

Avalanche energy, single pulse^{2, 4)}

Avalanche current, single pulse⁴⁾

Gate source voltage

E _AS

I _AS

I _D=10A

V _GS

±16

Power dissipation

one channel active

P _tot

T _C=25 °C

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

-55 ... +175

°C

Rev. 1.0

page 1

2010-10-15

12 3 4 5 6 7...9

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