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IPG20N06S4L26AATMA1

更新时间： 2024-11-05 19:52:51
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 196K
描述
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.026ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TDSON-8

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IPG20N06S4L26AATMA1 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：1.65
雪崩能效等级（Eas）：35 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (ID)：20 A最大漏源导通电阻：0.026 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-F6
JESD-609代码：e3元件数量：2
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：80 A
参考标准：AEC-Q101表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IPG20N06S4L26AATMA1 数据手册

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IPG20N06S4L-26A  
OptiMOS™-T2 Power-Transistor  
Product Summary  
VDS  
60  
26  
20  
V
4)  
RDS(on),max  
mΩ  
A
ID  
Features  
• Dual N-channel Logic Level - Enhancement mode  
PG-TDSON-8-10  
• AEC Q101 qualified  
• MSL1 up to 260°C peak reflow  
• 175°C operating temperature  
• Green Product (RoHS compliant)  
• 100% Avalanche tested  
• Feasible for automatic optical inspection (AOI)  
Type  
Package  
Marking  
IPG20N06S4L-26A  
PG-TDSON-8-10  
4N06L26  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Unit  
Continuous drain current  
one channel active  
T C=25 °C, VGS=10 V1)  
I D  
20  
18  
80  
A
T C=100 °C,  
V
-
GS=10 V2)  
Pulsed drain current2)  
one channel active  
I D,pulse  
Avalanche energy, single pulse2, 4)  
Avalanche current, single pulse4)  
Gate source voltage  
EAS  
I AS  
I D=10A  
35  
15  
mJ  
A
-
VGS  
-
±16  
V
Power dissipation  
one channel active  
Ptot  
T C=25 °C  
33  
W
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
-
-55 ... +175  
°C  
Rev. 1.0  
page 1  
2013-02-28  
1234567...9

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPG20N06S4L26ATMA1 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.026ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Met
IPG20N10S4-36A INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.036ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPG20N10S436AATMA1 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.036ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPG20N10S4L-22 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.035ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me
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