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IPG20N06S3L23ATMA1

更新时间： 2024-11-05 14:51:35
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 163K
描述
Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 55V, 0.023ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TDSON-8

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IPG20N06S3L23ATMA1 技术参数

生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.64其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：110 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：55 V
最大漏极电流 (ID)：33 A最大漏源导通电阻：0.023 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-F6
元件数量：2端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：80 A
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IPG20N06S3L23ATMA1 数据手册

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IPG20N06S3L-23  
OptiMOS®-T Power-Transistor  
Product Summary  
VDS  
55  
23  
20  
V
5)  
mΩ  
A
R DS(on),max  
I D  
Features  
• Dual N-channel Logic Level - Enhancement mode  
PG-TDSON-8-4  
• AEC Q101 qualified  
• MSL1 up to 260°C peak reflow  
• 175°C operating temperature  
• Green Product (RoHS compliant)  
• 100% Avalanche tested  
Type  
Package  
Marking  
IPG20N06S3L-23  
PG-TDSON-8-4 3N06L23  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Unit  
Continuous drain current1)  
one channel active  
I D  
T C=25 °C, VGS=10 V  
T C=100 °C,  
20  
20  
A
V
GS=10 V2)  
Pulsed drain current2)  
one channel active  
I D,pulse  
-
80  
Avalanche energy, single pulse2, 5)  
Avalanche current, single pulse5)  
Gate source voltage4)  
EAS  
I AS  
I D=10A  
110  
20  
mJ  
A
-
VGS  
-
±16  
V
Power dissipation  
one channel active  
Ptot  
T C=25 °C  
45  
W
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-
-
-55 ... +175  
55/175/56  
°C  
-
Rev. 1.0  
page 1  
2008-09-23  
1234567...9

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		Dual N-channel Normal Level - Enhancement mode
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