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| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.64 | 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 55 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 55 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 20 A | 最大漏源导通电阻： | 0.035 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-F6 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 6 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 80 A |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPG20N06S4-15 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T2 Power-Transistor |
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| IPG20N06S4-15A | INFINEON |
获取价格 |
Dual N-channel Normal Level - Enhancement mode |
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| IPG20N06S4-15A_15 | INFINEON |
获取价格 |
Dual N-channel Normal Level - Enhancement mode |
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| IPG20N06S415AATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.0155ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IPG20N06S4L-11 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T2 Power-Transistor |
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| IPG20N06S4L-11A | INFINEON |
获取价格 |
Dual N-channel Logic Level - Enhancement mode |
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| IPG20N06S4L-11A_15 | INFINEON |
获取价格 |
Dual N-channel Logic Level - Enhancement mode |
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| IPG20N06S4L11ATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.0112ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IPG20N06S4L-14 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T2 Power-Transistor |
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| IPG20N06S4L-26 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T2 Power-Transistor |
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