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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.73 | 雪崩能效等级（Eas）： | 100 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 55 V | 最大漏极电流 (ID)： | 20 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.035 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-F6 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 6 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 80 A | 参考标准： | AEC-Q101 |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPG20N06S2L35ATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 55V, 0.035ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IPG20N06S2L-50 | INFINEON |
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OptiMOS Power-Transistor |
|
| IPG20N06S2L-50A | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| IPG20N06S2L-65 | INFINEON |
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OptiMOS Power-Transistor |
|
| IPG20N06S2L-65A | INFINEON |
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车规级MOSFET |
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| IPG20N06S2L65ATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 55V, 0.065ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IPG20N06S2L65AUMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 55V, 0.065ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IPG20N06S3L-23 | INFINEON |
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OptiMOS-T Power-Transistor |
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| IPG20N06S3L23ATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 55V, 0.023ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IPG20N06S3L-35 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T Power-Transistor |
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