5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IPG20N06S2L-65
IPG20N06S2L-65 PDF预览

IPG20N06S2L-65

更新时间： 2024-11-05 05:39:23
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
9页 164K
描述
OptiMOS Power-Transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

IPG20N06S2L-65 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8
针数：8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.58
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：40 mJ
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：20 A最大漏极电流 (ID)：20 A
最大漏源导通电阻：0.065 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-F8JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：43 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：80 A
认证状态：Not Qualified参考标准：AEC-Q101
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IPG20N06S2L-65 数据手册

 浏览型号IPG20N06S2L-65的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IPG20N06S2L-65的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IPG20N06S2L-65的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IPG20N06S2L-65的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IPG20N06S2L-65的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IPG20N06S2L-65的Datasheet PDF文件第7页 
IPG20N06S2L-65  
OptiMOS® Power-Transistor  
Product Summary  
VDS  
55  
65  
20  
V
3)  
mΩ  
A
R DS(on),max  
I D  
Features  
• Dual N-channel Logic Level - Enhancement mode  
PG-TDSON-8-4  
• AEC Q101 qualified  
• MSL1 up to 260°C peak reflow  
• 175°C operating temperature  
• Green Product (RoHS compliant)  
• 100% Avalanche tested  
Type  
Package  
Marking  
IPG20N06S2L-65  
PG-TDSON-8-4 2N06L65  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Unit  
Continuous drain current  
one channel active1)  
I D  
T C=25 °C, VGS=10 V  
20  
14  
80  
A
T C=100 °C, VGS=10 V  
Pulsed drain current1)  
one channel active  
I D,pulse  
-
Avalanche energy, single pulse1, 3)  
Avalanche current, single pulse3)  
Gate source voltage  
EAS  
I AS  
I D=10A  
40  
15  
mJ  
A
-
VGS  
-
±20  
V
Power dissipation  
one channel active  
Ptot  
T C=25 °C  
43  
W
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-
-
-55 ... +175  
55/175/56  
°C  
-
Rev. 1.0  
page 1  
2009-09-07  
1234567...9

中文翻译

下载PDF

与IPG20N06S2L-65相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPG20N06S2L-65A INFINEON

获取价格

 		车规级MOSFET
IPG20N06S2L65ATMA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 55V, 0.065ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Met
IPG20N06S2L65AUMA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 55V, 0.065ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Met
IPG20N06S3L-23 INFINEON

获取价格

 		OptiMOS-T Power-Transistor
IPG20N06S3L23ATMA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 55V, 0.023ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Met
IPG20N06S3L-35 INFINEON

获取价格

 		OptiMOS-T Power-Transistor
IPG20N06S3L35ATMA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 55V, 0.035ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Met
IPG20N06S4-15 INFINEON

获取价格

 		OptiMOS-T2 Power-Transistor
IPG20N06S4-15A INFINEON

获取价格

 		Dual N-channel Normal Level - Enhancement mode
IPG20N06S4-15A_15 INFINEON

获取价格

 		Dual N-channel Normal Level - Enhancement mode

与IPG20N06S2L-65相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证