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IPG20N06S2L-65

更新时间： 2024-02-13 08:47:42

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲光电二极管
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OptiMOS Power-Transistor

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IPG20N06S2L-65 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8
针数：	8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.58
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	40 mJ
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	20 A	最大漏极电流 (ID)：	20 A
最大漏源导通电阻：	0.065 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-F8	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	43 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	80 A
认证状态：	Not Qualified	参考标准：	AEC-Q101
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IPG20N06S2L-65 数据手册

IPG20N06S2L-65

OptiMOS^®Power-Transistor

Product Summary

V_DS

mΩ

R _DS(on),max

I _D

Features

• Dual N-channel Logic Level - Enhancement mode

PG-TDSON-8-4

• AEC Q101 qualified

• MSL1 up to 260°C peak reflow

• 175°C operating temperature

• Green Product (RoHS compliant)

• 100% Avalanche tested

Type

Package

Marking

IPG20N06S2L-65

PG-TDSON-8-4 2N06L65

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol

Conditions

Unit

Continuous drain current

one channel active¹⁾

I _D

T _C=25 °C, V_GS=10 V

T _C=100 °C, V_GS=10 V

Pulsed drain current¹⁾

one channel active

I _D,pulse

Avalanche energy, single pulse^{1, 3)}

Avalanche current, single pulse³⁾

Gate source voltage

E_AS

I _AS

I _D=10A

V_GS

±20

Power dissipation

one channel active

P_tot

T _C=25 °C

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

-55 ... +175

55/175/56

°C

Rev. 1.0

page 1

2009-09-07

12 3 4 5 6 7...9

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