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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FQB34N20L
FQB34N20L PDF预览

FQB34N20L

更新时间： 2024-11-19 22:13:27
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
9页 663K
描述
200V LOGIC N-Channel MOSFET

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FQB34N20L 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Transferred零件包装代码：D2PAK
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.17
Is Samacsys：N其他特性：FAST SWITCHING, AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：640 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：31 A最大漏极电流 (ID)：31 A
最大漏源导通电阻：0.08 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：180 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：124 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FQB34N20L 数据手册

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June 2000  
TM  
QFET  
FQB34N20L / FQI34N20L  
200V LOGIC N-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar stripe, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation mode. These devices are well  
suited for high efficiency switching DC/DC converters,  
switch mode power supply, motor control.  
•
•
•
•
•
•
•
31A, 200V, R  
= 0.075Ω @V = 10 V  
DS(on) GS  
Low gate charge ( typical 55 nC)  
Low Crss ( typical 52 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
Low level gate drive requirement allowing direct  
opration from logic drivers  
D
!
D
"
! "  
"
!
G
"
G
S
D2-PAK  
FQB Series  
I2-PAK  
FQI Series  
G
D
S
!
S
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
FQB34N20L / FQI34N20L  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
200  
31  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
20  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
124  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
± 20  
640  
V
GSS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
AS  
31  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
18  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
5.5  
Power Dissipation (T = 25°C) *  
3.13  
180  
P
A
D
Power Dissipation (T = 25°C)  
W
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
1.43  
-55 to +150  
W/°C  
°C  
T , T  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
1/8” from case for 5 seconds  
T
300  
°C  
L
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Typ  
--  
Max  
0.7  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient *  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
θJC  
θJA  
θJA  
--  
40  
--  
62.5  
* When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount)  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, June 2000  
1234567...9

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FQB34N20L 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRFS23N20DTRLP INFINEON

功能相似

 High frequency DC-DC converters
IRFS31N20DPBF INFINEON

功能相似

 HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(on)ma
IRFS23N20DPBF INFINEON

功能相似

 SMPS MOSFET

与FQB34N20L相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FQB34N20LTM ONSEMI

获取价格

 		功率 MOSFET，N 沟道，逻辑电平，QFET®，200 V，31 A，80 mΩ，D2
FQB34N20LTM FAIRCHILD

获取价格

 		暂无描述
FQB34N20TM_AM002 FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 200V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
FQB34N20TM-AM002 ONSEMI

获取价格

 		功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，200 V，31 A，75 mΩ，D2PAK
FQB34P10 FAIRCHILD

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 		100V P-Channel MOSFET
FQB34P10_13 FAIRCHILD

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 		P-Channel QFET MOSFET
FQB34P10TM FAIRCHILD

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 		100V P-Channel MOSFET
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 		P 沟道 QFET® MOSFET -100V，-33.5A，60mΩ
FQB34P10TM-F085 FAIRCHILD

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 		-33.5A, -100V, RDS(on) = 0.06Ω @VGS = -10 V
FQB3N25 FAIRCHILD

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 		250V N-Channel MOSFET

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