型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FDMS86255ET150 | ONSEMI |
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N 沟道屏蔽门极 PowerTrench® MOSFET 150 V,63 A,12.4m | |
FDMS86263P | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 150V, 0.053ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, M | |
FDMS86263P | ONSEMI |
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P 沟道,PowerTrench® MOSFET,-150V,-22A,53mΩ | |
FDMS86300 | FAIRCHILD |
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N-Channel PowerTrench® MOSFET 80 V, 42 A, 3. | |
FDMS86300 | ONSEMI |
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N 沟道,PowerTrench® MOSFET,80V,122A,3.9mΩ | |
FDMS86300DC | FAIRCHILD |
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N-Channel Dual CoolTM Power Trench® MOSFET 8 | |
FDMS86300DC | ONSEMI |
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N 沟道,双 CoolTM 56 PowerTrench® MOSFET,80V,110 | |
FDMS86310 | FAIRCHILD |
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N-Channel PowerTrench® MOSFET 80 V, 50 A, 4. | |
FDMS86310 | ONSEMI |
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N 沟道,PowerTrench® MOSFET,80V,50A,4.8mΩ | |
FDMS86320 | FAIRCHILD |
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N-Channel PowerTrench® MOSFET |