5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FDMS86520L
FDMS86520L PDF预览

FDMS86520L

更新时间： 2024-11-13 12:23:35
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 269K
描述
N-Channel PowerTrench® MOSFET 60 V, 22 A, 8.2 mΩ

阅读下载

中文翻译

获取价格

FDMS86520L 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：QFN
包装说明：ROHS COMPLIANT, POWER 56, 8 PIN针数：8
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.72
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：91 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：22 A
最大漏极电流 (ID)：13.5 A最大漏源导通电阻：0.0082 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：MO-240AA
JESD-30 代码：R-PDSO-F5JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：69 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：60 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDMS86520L 数据手册

 浏览型号FDMS86520L的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FDMS86520L的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FDMS86520L的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FDMS86520L的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FDMS86520L的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FDMS86520L的Datasheet PDF文件第7页 
April 2011  
FDMS86520L  
N-Channel PowerTrench® MOSFET  
60 V, 22 A, 8.2 mΩ  
Features  
General Description  
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to  
improve the overall efficiency and to minimize switch node  
ringing of DC/DC converters using either synchronous or  
conventional switching PWM controllers.It has been optimized  
for low gate charge, low rDS(on), fast switching speed and body  
diode reverse recovery performance.  
„ Max rDS(on) = 8.2 mΩ at VGS = 10 V, ID = 13.5 A  
„ Max rDS(on) = 11.7 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 11.5 A  
„ Advanced package and silicon combination for low rDS(on) and  
high efficiency  
„ MSL1 robust package design  
„ 100% UIL tested  
Applications  
„ RoHS Compliant  
„ Primary Switch in isolated DC-DC  
„ Synchronous Rectifier  
„ Load Switch  
Bottom  
Top  
Pin 1  
S
G
S
S
S
D
D
D
D
5
6
7
8
4
3
S
S
G
2
1
D
D
D
D
Power 56  
MOSFET Maximum Ratings TA = 25 °C unless otherwise noted  
Symbol  
VDS  
VGS  
Parameter  
Ratings  
Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
60  
V
V
±20  
Drain Current -Continuous (Package limited)  
-Continuous (Silicon limited)  
-Continuous  
TC = 25 °C  
C = 25 °C  
22  
T
71  
13.5  
60  
ID  
A
TA = 25 °C  
(Note 1a)  
(Note 3)  
(Note 1a)  
-Pulsed  
EAS  
Single Pulse Avalanche Energy  
Power Dissipation  
91  
mJ  
W
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
69  
PD  
Power Dissipation  
2.5  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
RθJC  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
1.8  
50  
°C/W  
(Note 1a)  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Package  
Reel Size  
13 ’’  
Tape Width  
12 mm  
Quantity  
FDMS86520L  
FDMS86520L  
Power 56  
3000 units  
©2011 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDMS86520L Rev.C  
www.fairchildsemi.com  
1
1234567

中文翻译

下载PDF

FDMS86520L 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FDMS86520 FAIRCHILD

类似代替

 N-Channel PowerTrench® MOSFET 60 V, 42 A, 7.
BSC067N06LS3GATMA1 INFINEON

功能相似

 Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.0067ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSC076N06NS3G INFINEON

功能相似

 OptiMOS3 Power-Transistor

与FDMS86520L相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDMS86540 FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel PowerTrench® MOSFET 60 V, 50 A, 3.
FDMS86540 ONSEMI

获取价格

 		N 沟道，Power Trench® MOSFET，60V，129A，3.4mΩ
FDMS86550 ONSEMI

获取价格

 		60V N沟道PowerTrench® MOSFET
FDMS86550ET60 ONSEMI

获取价格

 		N 沟道，PowerTrench® MOSFET，60V，245A，1.65mΩ
FDMS86568-F085 ONSEMI

获取价格

 		N 沟道，PowerTrench®，60V，80A，3.5mΩ
FDMS86569-F085 ONSEMI

获取价格

 		N 沟道，PowerTrench® MOSFET，60V，65A，5.6mΩ
FDMS86580-F085 ONSEMI

获取价格

 		N 沟道，PowerTrench® MOSFET，60V，50A，9.6mΩ
FDMS86581 ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET, 60V N Channel 30A, 15mΩ in Powe
FDMS86581-F085 ONSEMI

获取价格

 		60 V N 沟道 PowerTrench® MOSFET
FDMS8660AS FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel PowerTrench㈢ SyncFET 30V, 49A, 2.1m

与FDMS86520L相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证