是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Active |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.29.00.95 |
Factory Lead Time: | 26 weeks | 风险等级: | 1.01 |
Samacsys Description: | N-Channel MOSFET, 76 A, 80 V, 8-Pin Power 56 ON Semiconductor FDMS86300DC | 其他特性: | ULTRA LOW RESISTANCE |
雪崩能效等级(Eas): | 240 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 80 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 60 A | 最大漏极电流 (ID): | 24 A |
最大漏源导通电阻: | 0.0031 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | MO-240AA | JESD-30 代码: | R-PDSO-F5 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 5 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 125 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 260 A |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
端子形式: | FLAT | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FDMS86310 | FAIRCHILD |
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N-Channel PowerTrench® MOSFET 80 V, 50 A, 4. | |
FDMS86310 | ONSEMI |
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N 沟道,PowerTrench® MOSFET,80V,50A,4.8mΩ | |
FDMS86320 | FAIRCHILD |
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N-Channel PowerTrench® MOSFET | |
FDMS86320 | ONSEMI |
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N 沟道,PowerTrench® MOSFET,80V,44A,11.7mΩ | |
FDMS86322 | FAIRCHILD |
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N-Channel PowerTrench® MOSFET 80 V, 60 A, 7. | |
FDMS86322 | ONSEMI |
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N 沟道,屏蔽门极,PowerTrench® MOSFET,80V,60A,7.65mΩ | |
FDMS86350 | FAIRCHILD |
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N-Channel PowerTrench® MOSFET | |
FDMS86350 | ONSEMI |
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N 沟道,PowerTrench® MOSFET,80V,130A,2.4mΩ | |
FDMS86350ET80 | ONSEMI |
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N 沟道,PowerTrench® MOSFET,80V,198A,2.4mΩ | |
FDMS86368-F085 | ONSEMI |
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N 沟道 PowerTrench® MOSFET 80V,80 A,4.5mΩ |