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FDMS86500L_F142 PDF预览

FDMS86500L_F142

更新时间： 2024-09-25 21:16:23
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 757K
描述
Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 60V, 0.0025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240AA, ROHS COMPLIANT, POWER 56, 8 PIN

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FDMS86500L_F142 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.82雪崩能效等级（Eas）：240 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (ID)：25 A
最大漏源导通电阻：0.0025 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：MO-240AAJESD-30 代码：R-PDSO-F5
元件数量：1端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：180 A
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDMS86500L_F142 数据手册

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January 2012  
FDMS86500L_F142  
N-Channel PowerTrench® MOSFET  
60 V, 80 A, 2.5 m  
Features  
Description  
• R  
= 2.1 m(Typ.) at V = 10 V, I = 25 A  
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semicon-  
ductor’s advanced PowerTrench® process that has been espe-  
cially tailored to minimize the on-state resistance and yet  
maintain superior switching performance.  
DS(on)  
GS D  
• R  
= 2.9 m(Typ.) at V = 4.5 V, I = 20 A  
DS(on)  
GS  
D
• Low FOM R  
Q
Low Reverse-Recovery Charge, Q  
DS(on)* G,  
rr  
• Soft Reverse-Recovery Body Diode  
• Enables High Efficiency in Synchronous Rectification  
• Fast Switching Speed  
Applications  
•
•
•
•
Synchronous Rectification for Server / Telecom PSU  
Battery Charger and Battery Protection Circuit  
DC Motor Drives and Uninterruptible Power Supplies  
Micro Solar Inverter  
• 100% UIL Tested  
• RoHS Compliant  
Bottom  
Top  
Pin 1  
S
G
S
S
S
D
D
D
D
5
6
7
8
4
3
S
S
G
2
1
D
D
D
D
Power 56  
MOSFET Maximum Ratings T = 25 °C unless otherwise noted  
A
Symbol  
Parameter  
Ratings  
60  
Units  
V
V
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
V
V
DS  
±20  
GS  
Drain Current -Continuous (Package limited)  
-Continuous (Silicon limited)  
-Continuous  
T
T
= 25 °C  
= 25 °C  
80  
C
158  
C
I
A
D
T = 25 °C  
(Note 1a)  
(Note 3)  
(Note 1a)  
25  
A
-Pulsed  
180  
E
P
Single Pulse Avalanche Energy  
Power Dissipation  
240  
mJ  
W
AS  
T
= 25 °C  
= 25 °C  
104  
C
D
Power Dissipation  
T
2.5  
A
T , T  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
J
STG  
Thermal Characteristics  
R
R
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
1.2  
50  
JC  
JA  
°C/W  
(Note 1a)  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Package  
Reel Size  
13 ’’  
Tape Width  
12 mm  
Quantity  
FDMS86500L  
FDMS86500L_F142  
Power 56  
3000 units  
1
©2012 Fairchild Semiconductor Corporation  
www.fairchildsemi.com  
FDMS86500L_F142 Rev.C1  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDMS86520 FAIRCHILD

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 		N-Channel PowerTrench® MOSFET 60 V, 42 A, 7.
FDMS86520 ONSEMI

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 		N 沟道，PowerTrench® MOSFET，60V，42A，7.4mΩ
FDMS86520L FAIRCHILD

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 		N-Channel PowerTrench® MOSFET 60 V, 22 A, 8.
FDMS86520L ONSEMI

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FDMS86540 FAIRCHILD

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FDMS86550ET60 ONSEMI

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FDMS86568-F085 ONSEMI

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 		N 沟道，PowerTrench®，60V，80A，3.5mΩ
FDMS86569-F085 ONSEMI

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 		N 沟道，PowerTrench® MOSFET，60V，65A，5.6mΩ

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