是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Active |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.29.00.95 |
Factory Lead Time: | 26 weeks | 风险等级: | 0.92 |
Samacsys Confidence: | 4 | Samacsys Status: | Released |
Samacsys PartID: | 1067439 | Samacsys Pin Count: | 12 |
Samacsys Part Category: | MOSFET (N-Channel) | Samacsys Package Category: | Other |
Samacsys Footprint Name: | PQFN8 5X6, 1.27P CASE 483AE ISSUE A FFW_2020 | Samacsys Released Date: | 2019-06-18 10:03:42 |
Is Samacsys: | N | 雪崩能效等级(Eas): | 240 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 80 A |
最大漏极电流 (ID): | 25 A | 最大漏源导通电阻: | 0.0025 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | MO-240AA |
JESD-30 代码: | R-PDSO-F5 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 5 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 104 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 180 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Tin (Sn) |
端子形式: | FLAT | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FDMS86500L_F142 | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 60V, 0.0025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
FDMS86520 | FAIRCHILD |
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N-Channel PowerTrench® MOSFET 60 V, 42 A, 7. | |
FDMS86520 | ONSEMI |
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N 沟道,PowerTrench® MOSFET,60V,42A,7.4mΩ | |
FDMS86520L | FAIRCHILD |
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N-Channel PowerTrench® MOSFET 60 V, 22 A, 8. | |
FDMS86520L | ONSEMI |
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N 沟道,PowerTrench® MOSFET,60V,22A,8.2mΩ | |
FDMS86540 | FAIRCHILD |
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N-Channel PowerTrench® MOSFET 60 V, 50 A, 3. | |
FDMS86540 | ONSEMI |
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N 沟道,Power Trench® MOSFET,60V,129A,3.4mΩ | |
FDMS86550 | ONSEMI |
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60V N沟道PowerTrench® MOSFET | |
FDMS86550ET60 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道,PowerTrench® MOSFET,60V,245A,1.65mΩ | |
FDMS86568-F085 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道,PowerTrench®,60V,80A,3.5mΩ |