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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FDMS86500L
FDMS86500L PDF预览

FDMS86500L

更新时间： 2024-09-25 12:23:35
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管开关脉冲光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
7页 283K
描述
N-Channel PowerTrench® MOSFET 60 V, 80 A, 2.5 mΩ

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FDMS86500L 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：QFN
包装说明：ROHS COMPLIANT, POWER 56, 8 PIN针数：8
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.69
雪崩能效等级（Eas）：240 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：80 A最大漏极电流 (ID)：25 A
最大漏源导通电阻：0.0025 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：MO-240AAJESD-30 代码：R-PDSO-F5
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：104 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：180 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDMS86500L 数据手册

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September 2011  
FDMS86500L  
N-Channel PowerTrench® MOSFET  
60 V, 80 A, 2.5 mΩ  
Features  
General Description  
„ Max rDS(on) = 2.5 mΩ at VGS = 10 V, ID = 25 A  
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to  
improve the overall efficiency and to minimize switch node  
ringing of DC/DC converters using either synchronous or  
conventional switching PWM controllers.It has been optimized  
for low gate charge, low rDS(on), fast switching speed and body  
diode reverse recovery performance.  
„ Max rDS(on) = 3.7 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 20 A  
„ Advanced Package and Silicon combination for low rDS(on)  
and high efficiency  
„ Next generation enhanced body diode technology,  
engineered for soft recovery  
Applications  
„ MSL1 robust package design  
„ 100% UIL tested  
„ Primary Switch in isolated DC-DC  
„ Synchronous Rectifier  
„ Load Switch  
„ RoHS Compliant  
Bottom  
Top  
Pin 1  
S
G
S
S
S
D
D
D
D
5
6
7
8
4
3
S
S
G
2
1
D
D
D
D
Power 56  
MOSFET Maximum Ratings TA = 25 °C unless otherwise noted  
Symbol  
VDS  
VGS  
Parameter  
Ratings  
60  
Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
V
V
±20  
Drain Current -Continuous (Package limited)  
-Continuous (Silicon limited)  
-Continuous  
TC = 25 °C  
C = 25 °C  
(Note 4)  
(Note 1a)  
(Note 3)  
80  
T
158  
ID  
A
TA = 25 °C  
25  
-Pulsed  
180  
EAS  
Single Pulse Avalanche Energy  
Power Dissipation  
240  
mJ  
W
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
104  
PD  
Power Dissipation  
(Note 1a)  
2.5  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
RθJC  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
1.2  
50  
°C/W  
(Note 1a)  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Package  
Reel Size  
13 ’’  
Tape Width  
12 mm  
Quantity  
FDMS86500L  
FDMS86500L  
Power 56  
3000 units  
1
©2011 Fairchild Semiconductor Corporation  
www.fairchildsemi.com  
FDMS86500L Rev.C1  
1234567

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与FDMS86500L相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDMS86500L_F142 FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 60V, 0.0025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
FDMS86520 FAIRCHILD

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 		N-Channel PowerTrench® MOSFET 60 V, 42 A, 7.
FDMS86520 ONSEMI

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 		N 沟道，PowerTrench® MOSFET，60V，42A，7.4mΩ
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FDMS86520L ONSEMI

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FDMS86550 ONSEMI

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 		60V N沟道PowerTrench® MOSFET
FDMS86550ET60 ONSEMI

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 		N 沟道，PowerTrench® MOSFET，60V，245A，1.65mΩ
FDMS86568-F085 ONSEMI

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 		N 沟道，PowerTrench®，60V，80A，3.5mΩ

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