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FDMS86350 PDF预览

FDMS86350

更新时间： 2024-11-14 11:15:31
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 411K
描述
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，80V，130A，2.4mΩ

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FDMS86350 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-N5Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：0.96雪崩能效等级（Eas）：864 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：80 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：80 A
最大漏极电流 (ID)：25 A最大漏源导通电阻：0.0024 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：MO-240AA
JESD-30 代码：R-PDSO-N5JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：156 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：300 A
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDMS86350 数据手册

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DATA SHEET  
www.onsemi.com  
MOSFET – N-Channel,  
POWERTRENCH®  
Pin 1  
Pin 1  
S
S
S
G
80ꢀV, 130ꢀA, 2.4ꢀmW  
D
D
D
D
FDMS86350  
Top  
Bottom  
PQFN8 5X6, 1.27P  
CASE 483AG  
Description  
This N−Channel MOSFET is produced using onsemi advanced  
POWERTRENCH process that has been especially tailored to  
®
minimize the on−state resistance and yet maintain superior switching  
performance.  
ELECTRICAL CONNECTION  
Features  
S
S
S
G
1
2
3
4
8
7
6
5
D
D
D
D
• Max R  
• Max R  
= 2.4 mW at V = 10 V, I = 25 A  
GS D  
DS(on)  
= 3.2 mW at V = 8 V, I = 22 A  
DS(on)  
GS  
D
• Advanced Package and Silicon Combination for Low R  
High Efficiency  
and  
DS(on)  
• MSL1 Robust Package Design  
• 100% UIL Tested  
• RoHS Compliant  
• These Device is Halogen Free  
MARKING DIAGRAM  
Applications  
• Primary MOSFET  
• Synchronous Rectifier  
• Load Switch  
$Y&Z&3&K  
FDMS  
86350  
• Motor Control Switch  
$Y  
&Z  
&3  
&K  
FDMS  
86350  
= Logo  
= Assembly Location  
= Date Code (Year and Week)  
= Lot Run Traceability Code  
= Specific Device Code  
MOSFET MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Symbol  
Parameter  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
Drain Current  
Ratings  
80  
Unit  
V
DS  
V
V
A
= Specific Device Code  
V
GS  
20  
I
D
− Continuous T = 25°C  
130  
25  
300  
C
ORDERING INFORMATION  
− Continuous T = 25°C (Note 1a)  
A
− Pulsed (Note 4)  
See detailed ordering and shipping information on  
page 3 of this data sheet.  
E
AS  
Single Pulse Avalanche Energy  
(Note 3)  
864  
mJ  
W
P
D
Power Dissipation, T = 25°C  
156  
2.7  
C
Power Dissipation, T = 25°C  
A
(Note 1a)  
T , T  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
−55 to +150  
°C  
J
STG  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
Publication Order Number:  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2013  
1
FDMS86350/D  
October, 2021 − Rev. 3  
12345678

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与FDMS86350相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDMS86350ET80 ONSEMI

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 		N 沟道，PowerTrench® MOSFET，80V，198A，2.4mΩ
FDMS86368-F085 ONSEMI

获取价格

 		N 沟道 PowerTrench® MOSFET 80V，80 A，4.5mΩ
FDMS86369-F085 ONSEMI

获取价格

 		N 沟道，PowerTrench® MOSFET，80V，65A，7.5mΩ
FDMS86380-F085 ONSEMI

获取价格

 		N 沟道，PowerTrench® MOSFET，80V，50A，13.4mΩ
FDMS86381-F085 ONSEMI

获取价格

 		N-Channel PowerTrench® MOSFET 80V, 30A, 22mΩ
FDMS86500 FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 28.5A I(D), 60V, 0.0019ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
FDMS86500DC FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel Dual CoolTM Power Trench® MOSFET 6
FDMS86500DC ONSEMI

获取价格

 		N 沟道，双 CoolTM 56 Power Trench® MOSFET，60V，108
FDMS86500L FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel PowerTrench® MOSFET 60 V, 80 A, 2.
FDMS86500L ONSEMI

获取价格

 		N 沟道，Power Trench® MOSFET，60V，158A，2.5mΩ

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