是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Active |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.29.00.95 |
Factory Lead Time: | 26 weeks | 风险等级: | 0.95 |
雪崩能效等级(Eas): | 135 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 80 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 60 A | 最大漏极电流 (ID): | 13 A |
最大漏源导通电阻: | 0.00765 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | MO-240AA | JESD-30 代码: | R-PDSO-F5 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 5 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 104 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 200 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Tin (Sn) | 端子形式: | FLAT |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FDMS86350 | FAIRCHILD |
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N-Channel PowerTrench® MOSFET | |
FDMS86350 | ONSEMI |
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N 沟道,PowerTrench® MOSFET,80V,130A,2.4mΩ | |
FDMS86350ET80 | ONSEMI |
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N 沟道,PowerTrench® MOSFET,80V,198A,2.4mΩ | |
FDMS86368-F085 | ONSEMI |
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N 沟道 PowerTrench® MOSFET 80V,80 A,4.5mΩ | |
FDMS86369-F085 | ONSEMI |
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N 沟道,PowerTrench® MOSFET,80V,65A,7.5mΩ | |
FDMS86380-F085 | ONSEMI |
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N 沟道,PowerTrench® MOSFET,80V,50A,13.4mΩ | |
FDMS86381-F085 | ONSEMI |
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N-Channel PowerTrench® MOSFET 80V, 30A, 22mΩ | |
FDMS86500 | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 28.5A I(D), 60V, 0.0019ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, | |
FDMS86500DC | FAIRCHILD |
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N-Channel Dual CoolTM Power Trench® MOSFET 6 | |
FDMS86500DC | ONSEMI |
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N 沟道,双 CoolTM 56 Power Trench® MOSFET,60V,108 |