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FDMS86380-F085 PDF预览

FDMS86380-F085

更新时间： 2024-11-14 11:13:43
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 局域网开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 390K
描述
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，80V，50A，13.4mΩ

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FDMS86380-F085 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-N5Reach Compliance Code：not_compliant
风险等级：0.69其他特性：AVALANCHE ENERGY RATED
雪崩能效等级（Eas）：16 mJ外壳连接：DRAIN
配置：Single最小漏源击穿电压：80 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：50 A最大漏极电流 (ID)：50 A
最大漏源导通电阻：13.4 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：14 pFJESD-30 代码：R-PDSO-N5
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：75 W参考标准：AEC-Q101
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON最大关闭时间（toff）：30 ns
最大开启时间（吨）：31 nsBase Number Matches：1

FDMS86380-F085 数据手册

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DATA SHEET  
www.onsemi.com  
MOSFET – N-Channel,  
POWERTRENCH)  
V
R
MAX  
I MAX  
D
(BR)DSS  
DS(ON)  
80 V  
13.4 mW @ 10 V  
50 A  
80 V, 50 A, 13.4 mW  
ELECTRICAL CONNECTION  
FDMS86380-F085  
Features  
• Typ R  
• Typ Q  
= 11.3 mW at V = 10 V; I = 50 A  
GS D  
DS(on)  
= 20 nC at V = 10 V; I = 50 A  
g(tot)  
GS  
D
• UIS Capability  
• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable  
• This Device is Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and is RoHS  
Compliant  
N−Channel MOSFET  
Bottom  
Top  
Pin 1  
S
S
S
Applications  
S
• Automotive Engine Control  
• PowerTrain Management  
• Solenoid and Motor Drivers  
• Electronic Steering  
• Integrated Starter/Alternator  
• Distributed Power Architectures and VRM  
• Primary Switch for 12 V Systems  
D
D
D
D
PQFN8  
CASE 483BJ  
MARKING DIAGRAM  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
ON  
AYWWWL  
FDMS  
86380  
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol  
Value  
80  
Unit  
V
V
DSS  
Gate−to−Source Voltage  
V
GS  
20  
V
Continuous Drain Current  
GS  
T
T
= 25°C  
= 25°C  
I
D
50  
A
C
(V = 10 V) (Note 1)  
A
WL  
Y
= Assembly Location  
= Wafer Lot  
= Year  
Pulsed Drain Current  
See  
Figure 4  
C
Single Pulse Avalanche Energy (Note 2)  
Power Dissipation  
E
16  
75  
mJ  
W
WW  
= Work Week  
AS  
FDMS86380 = Specific Device Code  
P
D
Derate above 25°C  
0.5  
W/°C  
°C  
ORDERING INFORMATION  
Operating and Storage Temperature  
T , T  
−55 to  
+175  
J
STG  
†
Device  
FDMS86380−F085  
Package  
Shipping  
Thermal Resistance (Junction−to−Case)  
R
2
°C/W  
°C/W  
q
JC  
JA  
PQFN8  
(Power 56)  
(Pb−Free)  
3000 /  
Maximum Thermal Resistance  
(Junction−to−Ambient) (Note 3)  
R
50  
q
Tape & Reel  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
1. Current is limited by bondwire configuration.  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
2. Starting Tj = 25°C, L = 20 mH, I = 40 A, V = 80 V during inductor charging  
AS  
DD  
and V = 0 V during time in avalanche.  
DD  
3. R  
is the sum of the junction−to−case and case−to−ambient thermal  
q
JA  
resistance where the case thermal reference is defined as the solder  
mounting surface of the drain pins. R  
is guaranteed by design while R  
q
JA  
q
JC  
is determined by the user’s board design. The maximum rating presented  
2
here is based on mounting on a 1 in pad of 2 oz copper.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2016  
1
Publication Order Number:  
October, 2021 − Rev. 3  
FDMS86380−F085/D  
 
12345678

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与FDMS86380-F085相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDMS86381-F085 ONSEMI

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 		N-Channel PowerTrench® MOSFET 80V, 30A, 22mΩ
FDMS86500 FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 28.5A I(D), 60V, 0.0019ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
FDMS86500DC FAIRCHILD

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 		N-Channel Dual CoolTM Power Trench® MOSFET 6
FDMS86500DC ONSEMI

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 		N 沟道，双 CoolTM 56 Power Trench® MOSFET，60V，108
FDMS86500L FAIRCHILD

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 		N-Channel PowerTrench® MOSFET 60 V, 80 A, 2.
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 		N-Channel PowerTrench® MOSFET 60 V, 42 A, 7.
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