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FDMS86500DC PDF预览

FDMS86500DC

更新时间： 2024-09-26 11:15:59
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI PC开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 439K
描述
N 沟道，双 CoolTM 56 Power Trench® MOSFET，60V，108A，2.3mΩ

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FDMS86500DC 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：26 weeks风险等级：0.95
Samacsys Confidence：4Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：989557Samacsys Pin Count：12
Samacsys Part Category：MOSFET (N-Channel)Samacsys Package Category：Other
Samacsys Footprint Name：PQFN8 5X6, 1.27P CASE 483AE ISSUE A FFW_2020Samacsys Released Date：2019-06-18 10:03:42
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：317 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：60 A
最大漏极电流 (ID)：29 A最大漏源导通电阻：0.0023 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：MO-240AA
JESD-30 代码：R-PDSO-F5JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：125 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：200 A
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDMS86500DC 数据手册

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DATA SHEET  
www.onsemi.com  
ELECTRICAL CONNECTION  
MOSFET -  
POWERTRENCH),  
N-Channel, DUAL COOL) 56  
S
D
D
D
D
S
S
G
60 V, 108 A, 2.3 mW  
N-Channel MOSFET  
FDMS86500DC  
D
D
D
General Description  
D
This N−Channel MOSFET is produced using onsemi’s advanced  
Pin 1  
®
G
POWERTRENCH process. Advancements in both silicon and  
S
®
S
Pin 1  
DUAL COOL package technologies have been combined to offer  
S
the lowest r  
while maintaining excellent switching performance  
DS(on)  
Top  
Bottom  
by extremely low Junction−to−Ambient thermal resistance.  
®
DFN8, DUAL COOL  
CASE 506EG  
Features  
®
• DUAL COOL Top Side Cooling DFN8 Package  
• Max r  
• Max r  
= 2.3 mW at V = 10 V, I = 29 A  
GS D  
DS(on)  
MARKING DIAGRAM  
= 3.3 mW at V = 8 V, I = 24 A  
DS(on)  
GS  
D
• High Performance Technology for Extremely Low r  
• 100% UIL Tested  
DS(on)  
2LAYWZ  
• RoHS Compliant  
Applications  
• Synchronous Rectifier for DC/DC Converters  
• Telecom Secondary Side Rectification  
• High End Server/Workstation Vcore Low Side  
2L  
A
Y
= Specific Device Code  
= Assembly Location  
= Year  
W
Z
= Work Week  
= Assembly Lot Code  
MOSFET MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Symbol  
Parameter  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
Drain Current:  
Ratings  
60  
Unit  
V
V
DS  
V
GS  
20  
V
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information on page 2 of  
this data sheet.  
I
D
A
Continuous, T = 25°C  
108  
29  
C
Continuous, T = 25°C (Note 1a)  
A
Pulsed  
200  
E
Single Pulse Avalanche Energy (Note 3)  
Power Dissipation:  
294  
mJ  
W
AS  
P
D
T
= 25°C  
125  
3.2  
C
T = 25°C (Note 1a)  
A
T , T  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
−55 to +150  
°C  
J
STG  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2012  
1
Publication Order Number:  
February, 2023 − Rev. 2  
FDMS86500DC/D  
1234567...9

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与FDMS86500DC相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDMS86500L FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel PowerTrench® MOSFET 60 V, 80 A, 2.
FDMS86500L ONSEMI

获取价格

 		N 沟道，Power Trench® MOSFET，60V，158A，2.5mΩ
FDMS86500L_F142 FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 60V, 0.0025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
FDMS86520 FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel PowerTrench® MOSFET 60 V, 42 A, 7.
FDMS86520 ONSEMI

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 		N 沟道，PowerTrench® MOSFET，60V，42A，7.4mΩ
FDMS86520L FAIRCHILD

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 		N-Channel PowerTrench® MOSFET 60 V, 22 A, 8.
FDMS86520L ONSEMI

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FDMS86540 FAIRCHILD

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 		N-Channel PowerTrench® MOSFET 60 V, 50 A, 3.
FDMS86540 ONSEMI

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 		N 沟道，Power Trench® MOSFET，60V，129A，3.4mΩ
FDMS86550 ONSEMI

获取价格

 		60V N沟道PowerTrench® MOSFET

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