是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Active |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-N5 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.29.00.95 |
Factory Lead Time: | 26 weeks | 风险等级: | 1.52 |
Is Samacsys: | N | 雪崩能效等级(Eas): | 937 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 245 A |
最大漏极电流 (ID): | 245 A | 最大漏源导通电阻: | 0.00165 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | MO-240AA |
JESD-30 代码: | R-PDSO-N5 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 5 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 175 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 187 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 1068 A | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Tin (Sn) | 端子形式: | NO LEAD |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
最大关闭时间(toff): | 87 ns | 最大开启时间(吨): | 112 ns |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FDMS86568-F085 | ONSEMI |
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N 沟道,PowerTrench®,60V,80A,3.5mΩ | |
FDMS86569-F085 | ONSEMI |
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N 沟道,PowerTrench® MOSFET,60V,65A,5.6mΩ | |
FDMS86580-F085 | ONSEMI |
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N 沟道,PowerTrench® MOSFET,60V,50A,9.6mΩ | |
FDMS86581 | ONSEMI |
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Power MOSFET, 60V N Channel 30A, 15mΩ in Powe | |
FDMS86581-F085 | ONSEMI |
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60 V N 沟道 PowerTrench® MOSFET | |
FDMS8660AS | FAIRCHILD |
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N-Channel PowerTrench㈢ SyncFET 30V, 49A, 2.1m | |
FDMS8660S | FAIRCHILD |
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N-Channel PowerTrench SyncFET (30V, 40A, 2.4mOHM) | |
FDMS8660S_08 | FAIRCHILD |
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N-Channel PowerTrench SyncFETTM | |
FDMS8662 | FAIRCHILD |
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N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 30V, 49A, 2.0mヘ | |
FDMS8670 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power Trench㈢ MOSFET 30V, 42A, 2.6m |