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FDMS86300DC PDF预览

FDMS86300DC

更新时间： 2024-09-25 12:23:35
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
8页 285K
描述
N-Channel Dual CoolTM Power Trench® MOSFET 80 V, 60 A, 3.1 mΩ

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FDMS86300DC 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：QFN
包装说明：ROHS COMPLIANT, POWER 56, QFN-8针数：8
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.7
其他特性：ULTRA LOW RESISTANCE雪崩能效等级（Eas）：240 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：80 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：60 A
最大漏极电流 (ID)：24 A最大漏源导通电阻：0.0031 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：MO-240AA
JESD-30 代码：R-PDSO-F5JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：125 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：260 A
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDMS86300DC 数据手册

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March 2012  
FDMS86300DC  
N-Channel Dual CoolTM Power Trench® MOSFET  
80 V, 60 A, 3.1 mΩ  
Features  
General Description  
„ Dual CoolTM Top Side Cooling PQFN package  
„ Max rDS(on) = 3.1 mΩ at VGS = 10 V, ID = 24 A  
„ Max rDS(on) = 4.0 mΩ at VGS = 8 V, ID = 21 A  
„ High performance technology for extremely low rDS(on)  
„ 100% UIL Tested  
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild  
Semiconductor’s  
advanced  
Power  
Trench®  
process.  
Advancements in both silicon and Dual CoolTM package  
technologies have been combined to offer the lowest rDS(on)  
while maintaining excellent switching performance by extremely  
low Junction-to-Ambient thermal resistance.  
Applications  
„ RoHS Compliant  
„ Synchronous Rectifier for DC/DC Converters  
„ Telecom Secondary Side Rectification  
„ High End Server/Workstation Vcore Low Side  
D
D
S
S
D
D
D
D
D
D
S
Pin 1  
G
S
S
S
S
Pin 1  
G
Top  
Bottom  
Power 56  
MOSFET Maximum Ratings TA = 25 °C unless otherwise noted  
Symbol  
VDS  
VGS  
Parameter  
Ratings  
80  
Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
V
V
±20  
Drain Current -Continuous (Package limited)  
-Continuous (Silicon limited)  
-Continuous  
TC = 25 °C  
C = 25 °C  
60  
T
148  
ID  
A
TA = 25 °C  
(Note 1a)  
(Note 3)  
24  
-Pulsed  
150  
EAS  
Single Pulse Avalanche Energy  
Power Dissipation  
240  
mJ  
W
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
125  
PD  
Power Dissipation  
(Note 1a)  
3.2  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
RθJC  
RθJC  
RθJA  
RθJA  
RθJA  
RθJA  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction to Case  
(Top Source)  
(Bottom Drain)  
(Note 1a)  
2.3  
1.0  
38  
81  
16  
23  
11  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
(Note 1b)  
°C/W  
(Note 1i)  
(Note 1j)  
(Note 1k)  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Package  
Dual CoolTM Power 56  
Reel Size  
Tape Width  
12 mm  
Quantity  
86300  
FDMS86300DC  
13’’  
3000 units  
©2012 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDMS86300DC Rev. C1  
1
www.fairchildsemi.com  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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