5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | QFN |
| 包装说明： | ROHS COMPLIANT, POWER 56, 8 PIN | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.69 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 252 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 80 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 42 A | 最大漏极电流 (ID)： | 19 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0039 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-F8 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 104 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 120 A |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDMS86300DC | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Dual CoolTM Power Trench® MOSFET 8 |
|
| FDMS86300DC | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，双 CoolTM 56 PowerTrench® MOSFET，80V，110 |
|
| FDMS86310 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench® MOSFET 80 V, 50 A, 4. |
|
| FDMS86310 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，80V，50A，4.8mΩ |
|
| FDMS86320 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench® MOSFET |
|
| FDMS86320 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，80V，44A，11.7mΩ |
|
| FDMS86322 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench® MOSFET 80 V, 60 A, 7. |
|
| FDMS86322 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，80V，60A，7.65mΩ |
|
| FDMS86350 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench® MOSFET |
|
| FDMS86350 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，80V，130A，2.4mΩ |
|
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
