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FDMS86252L PDF预览

FDMS86252L

更新时间： 2024-11-13 20:03:47
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
7页 267K
描述
Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 150V, 0.056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240AA, ROHS COMPLIANT, POWER 56, 8 PIN

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FDMS86252L 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：QFN
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：3.88
雪崩能效等级（Eas）：73 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：150 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：12 A最大漏极电流 (ID)：4.4 A
最大漏源导通电阻：0.056 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：MO-240AAJESD-30 代码：R-PDSO-F5
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：30 A子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDMS86252L 数据手册

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August 2013  
FDMS86252L  
N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET  
150 V, 12 A, 56 mΩ  
Features  
General Description  
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild  
Semiconductor’s  
„ Shielded Gate MOSFET Technology  
advanced PowerTrench® process that  
„ Max rDS(on) = 56 mΩ at VGS = 10 V, ID = 4.4 A  
„ Max rDS(on) = 71 mΩ at VGS = 6 V, ID = 3.8 A  
„ Max rDS(on) = 75 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 3.7 A  
incorporates Shielded Gate technology. This process has been  
optimized for the on-state resistance and yet maintain superior  
switching performance.  
Applications  
„ Advanced package and silicon combination for low rDS(on) and  
high efficiency  
„ OringFET / Load Switching  
„ Synchronous Rectification  
„ DC-DC Conversion  
„ Next generation enhanced body diode technol-  
ogy, engineered for soft recovery  
„ MSL1 robust package design  
„ 100% UIL tested  
„ RoHS Compliant  
Bottom  
Top  
Pin 1  
S
S
D
D
D
D
Pin 1  
S
S
G
S
S
G
D
D
D
D
Power 56  
MOSFET Maximum Ratings TA = 25 °C unless otherwise noted  
Symbol  
VDS  
VGS  
Parameter  
Ratings  
Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
Drain Current -Continuous  
-Continuous  
150  
V
V
±20  
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
12  
ID  
(Note 1a)  
(Note 4)  
(Note 3)  
4.4  
A
-Pulsed  
30  
EAS  
Single Pulse Avalanche Energy  
Power Dissipation  
73  
50  
mJ  
W
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
PD  
Power Dissipation  
(Note 1a)  
2.5  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
RθJC  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
2.5  
50  
°C/W  
(Note 1a)  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Package  
Reel Size  
13 ’’  
Tape Width  
12 mm  
Quantity  
FDMS86252L  
FDMS86252L  
Power 56  
3000 units  
©2013 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDMS86252L Rev.C  
www.fairchildsemi.com  
1
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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