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FDMC86116LZ

更新时间： 2024-02-22 19:13:29

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安森美 - ONSEMI		开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	576K
描述
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，100V，7.5A，103mΩ

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技术参数
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FDMC86116LZ 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, S-PDSO-N5	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
Factory Lead Time：	26 weeks	风险等级：	1.01
雪崩能效等级（Eas）：	12 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	7.5 A	最大漏极电流 (ID)：	3.3 A
最大漏源导通电阻：	0.103 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	S-PDSO-N5	JESD-609代码：	e4
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	5	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	SQUARE	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	19 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	15 A
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

FDMC86116LZ 数据手册

FDMC86116LZ, FDMC86116LZ−L701

TYPICAL CHARACTERISTICS (CONTINUED)

(T = 25°C UNLESS OTHERWISE NOTED)

1000

100

= 3.3 A

C_iss

= 50 V

C_oss

= 25 V

= 75 V

f = 1 MHz

= 0 V

C_rss

0.1

100

Q , GATE CHARGE (nC)

, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)

Figure 7. Gate Charge Characteristics

Figure 8. Capacitance vs. Drain to Source Voltage

10⁻¹

= 0 V

10⁻²

10⁻³

10⁻⁴

10⁻⁵

10⁻⁶

10⁻⁷

10⁻⁸

10⁻⁹

T = 25°C

T = 125°C

T = 100°C

T = 25°C

T = 125°C

0.01

0.1

12 16 20 24 28 32 36

0.001

t , TIME IN AVALANCHE (ms)

, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)

Figure 9. Unclamped Inductive Switching

Capability

Figure 10. Gate Leakage Current vs. Gate to

Source Voltage

100 ms

= 10 V

1 ms

Limited by the

package

THIS AREA IS

LIMITED BY r

10 ms

DS(on)

0.1

100 ms

= 4.5 V

SINGLE PULSE

T = MAX RATED

1 s

10 s

= 125°C/W

= 6.5°C/W

0.01

0.005

T = 25°C

100

125

150

0.1

100

400

T , CASE TEMPERATURE (°C)

, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)

Figure 11. Maximum Continuous Drain Current

vs. Case Temperature

Figure 12. Forward Bias Safe Operating Area

www.onsemi.com

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与FDMC86116LZ相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
FDMC86139P	ONSEMI	P 沟道，PowerTrench® MOSFET，-100V，-15A，67mΩ	获取价格
FDMC86139P	FAIRCHILD	Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 100V, 0.067ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, M	获取价格
FDMC86160	FAIRCHILD	N-Channel Power Trench MOSFET 100 V, 43 A, 14 m Ohm	获取价格
FDMC86160	ONSEMI	N 沟道，PowerTrench® MOSFET，100V，43A，14mΩ	获取价格
FDMC86160ET100	ONSEMI	N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，100 V，43A，14mΩ	获取价格
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