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FDMC86116LZ

更新时间： 2024-02-21 23:15:35

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安森美 - ONSEMI		开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	576K
描述
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，100V，7.5A，103mΩ

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技术参数
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FDMC86116LZ 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, S-PDSO-N5	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
Factory Lead Time：	26 weeks	风险等级：	1.01
雪崩能效等级（Eas）：	12 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	7.5 A	最大漏极电流 (ID)：	3.3 A
最大漏源导通电阻：	0.103 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	S-PDSO-N5	JESD-609代码：	e4
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	5	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	SQUARE	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	19 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	15 A
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

FDMC86116LZ 数据手册

FDMC86116LZ, FDMC86116LZ−L701

MOSFET MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)

Symbol

Parameter

Ratings

Unit

Drain to Source Voltage

Gate to Source Voltage

Drain Current

100

Continuous

= 25°C

7.5

Continuous (Note 3a)

Pulsed

T = 25°C

3.3

Single Pulse Avalanche Energy (Note 2)

Power Dissipation

T = 25°C

Power Dissipation (Note 3a)

T = 25°C

2.3

T , T

Operating and Storage Junction Temperature Range

−55 to +150

°C

STG

Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the device. If any of these limits are exceeded, device functionality

should not be assumed, damage may occur and reliability may be affected.

2. Starting T = 25°C; N−ch: L = 1 mH, I = 5.0 A, V = 90 V, V = 10 V.

THERMAL CHARACTERISTICS

Symbol

Parameter

Ratings

6.5

Unit

RqJC

RqJA

Thermal Resistance, Junction to Case

°C/W

Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 3a)

3. R

is determined with the device mounted on a 1 in pad 2 oz copper pad on a 1.5 x 1.5 in. board of FR−4 material. R

is guaranteed

by design while R

is determined bythe user’s board design.

a. 53°C/W when mounted on a 1 in pad

b. 125°C/W when mounted on a minimum

pad of 2 oz copper

of 2 oz copper

www.onsemi.com

123 4 5 6 7...10

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与FDMC86116LZ相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
FDMC86139P	ONSEMI	P 沟道，PowerTrench® MOSFET，-100V，-15A，67mΩ	获取价格
FDMC86139P	FAIRCHILD	Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 100V, 0.067ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, M	获取价格
FDMC86160	FAIRCHILD	N-Channel Power Trench MOSFET 100 V, 43 A, 14 m Ohm	获取价格
FDMC86160	ONSEMI	N 沟道，PowerTrench® MOSFET，100V，43A，14mΩ	获取价格
FDMC86160ET100	ONSEMI	N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，100 V，43A，14mΩ	获取价格
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