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FDMC86116LZ

更新时间： 2024-02-19 14:11:29

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安森美 - ONSEMI		开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	576K
描述
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，100V，7.5A，103mΩ

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技术参数
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FDMC86116LZ 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, S-PDSO-N5	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
Factory Lead Time：	26 weeks	风险等级：	1.01
雪崩能效等级（Eas）：	12 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	7.5 A	最大漏极电流 (ID)：	3.3 A
最大漏源导通电阻：	0.103 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	S-PDSO-N5	JESD-609代码：	e4
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	5	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	SQUARE	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	19 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	15 A
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

FDMC86116LZ 数据手册

FDMC86116LZ, FDMC86116LZ−L701

TYPICAL CHARACTERISTICS (CONTINUED)

(T = 25°C UNLESS OTHERWISE NOTED)

500

100

SINGLE PULSE

= 125°C/W

T = 25°C

0.5

10⁻⁴

10⁻³

10⁻²

10⁻¹

t, PULS WIDTH (s)

100

1000

Figure 13. Single pulse Maximum Power Dissipation

DUTY CYCLE−DESCENDING ORDER

D = 0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

0.1

0.01

P_DM

t₁

t₂

NOTES:

DUTY FACTOR: D = t / t

SINGLE PULSE

= 125°C/W

PEAK T = PDM x Z

x R

+ T

JA A

0.001

−2

10⁻⁴

10⁻³

10⁻¹

100

1000

t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)

Figure 14. Junction−to−Ambient Transient Thermal Response Curve

ORDERING INFORMATION

†

Device

Device Marking

Package Type

Reel Size

Tape Width

Shipping

FDMC86116LZ

FDMC86116Z

WDFN8 3.3x3.3, 0.65P

Power 33

13”

12 mm

3000 / Tape & Reel

(Pb−Free)

FDMC86116LZ−L701

WDFN8 3.3x3.3, 0.65P

Power 33

13”

12 mm

3000 / Tape & Reel

(Pb−Free)

†For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging

Specifications Brochure, BRD8011/D.

POWERTRENCH is a registered trademark of Semiconductor Components Industries, LLC dba “onsemi” or its affiliates and/or subsidiaries in the United

States and/or other countries.

www.onsemi.com

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与FDMC86116LZ相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
FDMC86139P	ONSEMI	P 沟道，PowerTrench® MOSFET，-100V，-15A，67mΩ	获取价格
FDMC86139P	FAIRCHILD	Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 100V, 0.067ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, M	获取价格
FDMC86160	FAIRCHILD	N-Channel Power Trench MOSFET 100 V, 43 A, 14 m Ohm	获取价格
FDMC86160	ONSEMI	N 沟道，PowerTrench® MOSFET，100V，43A，14mΩ	获取价格
FDMC86160ET100	ONSEMI	N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，100 V，43A，14mΩ	获取价格
FDMC86183	ONSEMI	N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，100V，47 A，12.8	获取价格