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FDMC7692

更新时间： 2024-01-05 04:30:38
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 257K
描述
N-Channel Power Trench® MOSFET 30 V, 13.3 A, 8.5 m

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FDMC7692 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, S-PDSO-N5Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：1 week风险等级：0.98
其他特性：ULTRA-LOW RESISTANCE雪崩能效等级（Eas）：21 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：18 A
最大漏极电流 (ID)：12.5 A最大漏源导通电阻：0.0093 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：S-PDSO-N5
JESD-609代码：e4湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：SQUARE
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2.3 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：45 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDMC7692 数据手册

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July 2009  
FDMC7692  
N-Channel Power Trench® MOSFETꢀ  
30 V, 13.3 A, 8.5 mꢁ  
Features  
General Description  
  Max rDS(on) = 8.5 mꢁ at VGS = 10 V, ID = 13.3 A  
  Max rDS(on) = 11.5 mꢁ at VGS = 4.5 V, ID = 10.6 A  
  High performance technology for extremely low rDS(on)  
  Termination is Lead-free and RoHS Compliant  
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild  
Semiconductor’s advanced Power Trench® process that has  
been especially tailored to minimize the on-state resistance. This  
device is well suited for Power Management and load switching  
applications common in Notebook Computers and Portable  
Battery Packs.  
Application  
  DC - DC Buck Converters  
  Notebook battery power management  
  Load switch in Notebook  
Bottom  
Top  
Pin 1  
G
4
3
2
1
G
S
S
S
D
D
5
6
7
8
S
S
S
D
D
D
D
D
D
MLP 3.3x3.3  
MOSFET Maximum Ratings TA = 25 °C unless otherwise noted  
Symbol  
VDS  
VGS  
Parameter  
Ratings  
Units  
V
V
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
30  
20  
Drain Current -Continuous (Package limited)  
-Continuous  
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
16  
13.3  
ID  
(Note 1a)  
A
-Pulsed  
40  
EAS  
PD  
Single Pulse Avalanche Energy  
Power Dissipation  
(Note 3)  
(Note 1a)  
58  
2.3  
mJ  
W
TA = 25 °C  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
RꢂJA  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
(Note 1a)  
53  
°C/W  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
FDMC7692  
Device  
FDMC7692  
Package  
MLP 3.3x3.3  
Reel Size  
13 ’’  
Tape Width  
12 mm  
Quantity  
3000 units  
1
©2009 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDMC7692 Rev.B  
www.fairchildsemi.com  
1234567

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