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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | MLP |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, S-PDSO-N5 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 3.31 |
| 其他特性： | ULTRA-LOW RESISTANCE | 雪崩能效等级（Eas）： | 72 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 44 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 12 A | 最大漏源导通电阻： | 0.008 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | S-PDSO-N5 |
| JESD-609代码： | e4 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 5 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 27 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 52 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDMC8296_10 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power Trench® MOSFET 30V, 18A, 8.0 |
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| FDMC8321L | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 40V, 0.0025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| FDMC8321L | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道 Power Trench® MOSFET 40V，49A，2.5mΩ |
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| FDMC8321LDC | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，Power Trench® MOSFET，40V，108A，2.5mΩ |
|
| FDMC8327L | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench® MOSFET 40 V, 14 A, 9. |
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| FDMC8327L | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，Power Trench® MOSFET，40V，14A，9.7mΩ |
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| FDMC8360L | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Shielded Gate Power Trench MOSFET 40 V, 80 A, 2.1 m |
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| FDMC8360L | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道屏蔽门极 Power Trench® MOSFET 40V，80A，2.1mΩ |
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| FDMC8360LET40 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道屏蔽门极 Power Trench® MOSFET 40V，141A，2.1mΩ |
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| FDMC8462 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power Trench㈢ MOSFET 40V, 20A, 5.8 |
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