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FDMC8321L PDF预览

FDMC8321L

更新时间： 2024-11-18 21:21:31
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
7页 245K
描述
Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 40V, 0.0025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240BA, ROHS COMPLIANT, POWER 33, 8 PIN

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FDMC8321L 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：QFN
包装说明：ROHS COMPLIANT, POWER 33, 8 PIN针数：8
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.72
雪崩能效等级（Eas）：86 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：49 A最大漏极电流 (ID)：22 A
最大漏源导通电阻：0.0025 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：MO-240BAJESD-30 代码：S-PDSO-N5
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：SQUARE
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：40 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：100 A子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDMC8321L 数据手册

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February 2013  
FDMC8321L  
N-Channel Power Trench® MOSFET  
40 V, 49 A, 2.5 mΩ  
Features  
General Description  
„ Max rDS(on) = 2.5 mΩ at VGS = 10 V, ID = 22 A  
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to  
improve the overall efficiency and to minimize switch node  
ringing of DC/DC converters using either synchronous or  
convertional switching PWM contollers. It has been optimized for  
low gate charge, low rDS(on), fast switching speed body diode  
reverse recovery performance.  
„ Max rDS(on) = 4.1 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 18 A  
„ Advanced Package and Silicon combination for low rDS(on)  
and hign efficiency  
„ Next Generation enhanced body diode technology,  
engineered for soft recovery  
Applications  
„ 100% UIL tested  
„ RoHS Compliant  
„ Synchronous rectifier  
„ Load switch/Orring  
„ Motor switch  
Bottom  
S
Top  
Pin 1  
S
S
D
D
S
S
G
S
D
D
D
D
D
G
D
Power 33  
MOSFET Maximum Ratings TA = 25 °C unless otherwise noted  
Symbol  
VDS  
VGS  
Parameter  
Ratings  
Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
40  
V
V
±20  
Drain Current  
-Continuous  
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
49  
ID  
-Continuous  
-Pulsed  
(Note 1a)  
(Note 3)  
22  
100  
A
EAS  
Single Pulse Avalanche Energy  
Power Dissipation  
86  
mJ  
W
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
40  
PD  
Power Dissipation  
(Note 1a)  
2.3  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
RθJC  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
(Note 1)  
3.1  
53  
°C/W  
(Note 1a)  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Package  
Reel Size  
13 ’’  
Tape Width  
12 mm  
Quantity  
FDMC8321L  
FDMC8321L  
Power33  
3000 units  
©2013 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDMC8321L Rev.C2  
www.fairchildsemi.com  
1
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDMC8321LDC ONSEMI

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 		N 沟道，Power Trench® MOSFET，40V，108A，2.5mΩ
FDMC8327L FAIRCHILD

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 		N-Channel Power Trench MOSFET 20V, 16.5A, 5mohm
FDMC8554 ONSEMI

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 		N 沟道，Power Trench® MOSFET，20V，16.5A，5mΩ

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