是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Active |
包装说明: | SMALL OUTLINE, S-PDSO-N5 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.29.00.95 |
Factory Lead Time: | 1 week | 风险等级: | 1.04 |
雪崩能效等级(Eas): | 21 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 30 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 20 A | 最大漏极电流 (ID): | 12 A |
最大漏源导通电阻: | 0.0115 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | S-PDSO-N5 | JESD-609代码: | e4 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 5 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 25 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 50 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
端子形式: | NO LEAD | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FDMC8010 | ONSEMI |
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N 沟道,PowerTrench® MOSFET,30V,75A,1.3mΩ | |
FDMC8010 | FAIRCHILD |
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New Products, Tips and Tools for Power and Mobile Applications | |
FDMC8010DC | ONSEMI |
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N 沟道 Dual CoolTM 33 PowerTrench® MOSFET 30V,1 | |
FDMC8010ET30 | ONSEMI |
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N 沟道,PowerTrench® MOSFET,30V,174A,1.3mΩ | |
FDMC8015L | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 40V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta | |
FDMC8015L | ONSEMI |
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N 沟道,Power Trench® MOSFET,40V,18A,26mΩ | |
FDMC8026S | FAIRCHILD |
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N-Channel PowerTrench® SyncFETTM | |
FDMC8026S | ONSEMI |
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30V N沟道PowerTrench® SyncFET™ | |
FDMC8030 | FAIRCHILD |
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Dual N-Channel Power Trench® MOSFET 40 V, 12 | |
FDMC8030 | ONSEMI |
获取价格 |
双 N 沟道,Power Trench® MOSFET,40V,12A,10mΩ |