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FDMC8200

更新时间： 2024-11-18 10:32:19
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
11页 483K
描述
Dual N-Channel PowerTrench? MOSFET 30 V, 9.5 mΩ and 20 mΩ

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FDMC8200 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：MLP
包装说明：SMALL OUTLINE, S-PDSO-N8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：4.49
配置：SERIES, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：45 A最大漏极电流 (ID)：8 A
最大漏源导通电阻：0.02 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：30 pFJESD-30 代码：S-PDSO-N8
JESD-609代码：e4湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：SQUARE
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2.2 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDMC8200 数据手册

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June 2009  
FDMC8200  
Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET  
30 V, 9.5 mΩ and 20 mΩ  
Features  
General Description  
Q1: N-Channel  
This device includes two specialized N-Channel MOSFETs in a  
dual Power33 (3mm x 3mm MLP) package. The switch node  
has been internally connected to enable easy placement and  
„ Max rDS(on) = 20 mΩ at VGS = 10 V, ID = 6 A  
„ Max rDS(on) = 32 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 5 A  
routing of synchronous buck converters.  
The control  
MOSFET (Q1) and synchronous MOSFET (Q2) have been  
designed to provide optimal power efficiency.  
Q2: N-Channel  
„ Max rDS(on) = 9.5 mΩ at VGS = 10 V, ID = 9 A  
„ Max rDS(on) = 13.5 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 7 A  
„ RoHS Compliant  
Applications  
„ Mobile Computing  
„ Mobile Internet Devices  
„ General Purpose Point of Load  
D1  
D1  
D1  
Q2  
D1  
D1  
D1  
G1  
S2  
S2  
S2  
G2  
5
6
7
8
4
3
2
1
Pin 1  
G1  
D1  
D2/S1  
S2  
S2  
Q1  
S2  
G2  
BOTTOM  
BOTTOM  
Power 33  
MOSFET Maximum Ratings TC = 25 °C unless otherwise noted  
Symbol  
VDS  
VGS  
Parameter  
Q1  
30  
Q2  
30  
Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
V
V
(Note 3)  
TC = 25 °C  
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
±20  
18  
±20  
18  
Drain Current - Continuous (Package limited)  
- Continuous (Silicon limited)  
- Continuous  
23  
8 1a  
45  
12 1b  
ID  
A
- Pulsed  
40  
40  
Power Dissipation  
TA = 25 °C  
TA = 25 °C  
1.9 1a  
0.7 1c  
2.2 1b  
0.9 1d  
PD  
W
Power Dissipation  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
RθJA  
RθJA  
RθJC  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
65 1a  
180 1c  
7.5  
55 1b  
145 1d  
4
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Case  
°C/W  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Package  
Reel Size  
13 ”  
Tape Width  
Quantity  
FDMC8200  
FDMC8200  
Power 33  
12 mm  
3000 units  
©2009 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDMC8200 Rev.A1  
1
www.fairchildsemi.com  
1234567...11

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDMC8200S FAIRCHILD

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 		暂无描述
FDMC8200S ONSEMI

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 		双 N 沟道，PowerTrench® MOSFET，30V，10mΩ，20mΩ
FDMC8296 FAIRCHILD

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FDMC8296_10 FAIRCHILD

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 		N 沟道，Power Trench® MOSFET，40V，14A，9.7mΩ

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