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FDMC8015L PDF预览

FDMC8015L

更新时间： 2024-11-18 19:52:31
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 273K
描述
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 40V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, 3.30 X 3.30, ROHS COMPLIANT, POWER 33, MLP, 8 PIN

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FDMC8015L 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：MLP
包装说明：SMALL OUTLINE, S-PDSO-N5针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.71
Samacsys Description：MOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET雪崩能效等级（Eas）：32 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：40 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：18 A
最大漏极电流 (ID)：7 A最大漏源导通电阻：0.026 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：S-PDSO-N5
JESD-609代码：e4湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：SQUARE
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：24 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：30 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Powers表面贴装：YES
端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDMC8015L 数据手册

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October 2013  
FDMC8015L  
N-Channel Power Trench® MOSFET  
40 V, 18 A, 26 mΩ  
Features  
General Description  
„ Max rDS(on) = 26 mΩ at VGS = 10 V, ID = 7 A  
„ Max rDS(on) = 36 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 6 A  
„ Low Profile - 1 mm max in Power 33  
„ 100% UIL Tested  
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild  
Semiconductor‘s advanced Power Trench® process that has  
been especially tailored to minimize the on-state resistance and  
yet maintain superior switching performance.  
„ RoHS Compliant  
Applications  
„ Load Switch  
„ Motor Bridge Switch  
Bottom  
D D  
Top  
7
D
D
8
2
6
5
G
S
S
S
D
D
D
D
5
6
7
8
4
3
2
1
G S  
S
S
1
3
4
MLP 3.3x3.3  
MOSFET Maximum Ratings TA = 25 °C unless otherwise noted  
Symbol  
VDS  
VGS  
Parameter  
Ratings  
Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
40  
V
V
±20  
Drain Current -Continuous (Package limited)  
-Continuous (Silicon limited)  
-Continuous  
TC = 25°C  
C = 25°C  
18  
T
22  
ID  
A
TA = 25°C  
(Note 1a)  
(Note 3)  
7
-Pulsed  
30  
EAS  
Single Pulse Avalanche Energy  
Power Dissipation  
32  
24  
mJ  
W
TC = 25°C  
TA = 25°C  
PD  
Power Dissipation  
(Note 1a)  
2.3  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to + 150  
°C  
Thermal Characteristics  
RθJC  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
5.1  
53  
°C/W  
(Note 1a)  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Package  
Reel Size  
13’’  
Tape Width  
12 mm  
Quantity  
FDMC8015L  
FDMC8015L  
Power 33  
3000 units  
©2011 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDMC8015L Rev.C1  
www.fairchildsemi.com  
1
1234567

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