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FDMC8200 PDF预览

FDMC8200

更新时间： 2024-11-19 11:10:55
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 308K
描述
双 N 沟道，PowerTrench® MOSFET，30V，9.5mΩ 和 20mΩ

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FDMC8200 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, S-PDSO-N8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：23 weeks风险等级：0.97
外壳连接：DRAIN-SOURCE配置：SERIES, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：18 A
最大漏极电流 (ID)：8 A最大漏源导通电阻：0.02 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：30 pF
JESD-30 代码：S-PDSO-N8湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：SQUARE封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：1.9 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：40 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Nickel/Gold/Palladium (Ni/Au/Pd)
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON最大关闭时间（toff）：66 ns
最大开启时间（吨）：30 nsBase Number Matches：1

FDMC8200 数据手册

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DATA SHEET  
www.onsemi.com  
D1  
MOSFET – Dual, N-Channel,  
POWERTRENCH)  
D1  
D1  
G1  
Pin 1  
D1  
D2/S1  
30 V, 9.5 mW and 20 mW  
S2  
S2  
S2  
FDMC8200  
G2  
Top  
General Description  
V
IN  
This device includes two specialized N−Channel MOSFETs in a  
dual Power33 (3 mm x 3 mm MLP) package. The switch node has  
been internally connected to enable easy placement and routing of  
synchronous buck converters. The control MOSFET (Q1) and  
synchronous MOSFET (Q2) have been designed to provide optimal  
power efficiency.  
V
IN  
V
IN  
G
HS  
V
IN  
SWITCH  
NODE  
GND  
GND  
GND  
Features  
G
LS  
• Q1: N−Channel  
Bottom  
♦ Max r  
♦ Max r  
) = 20 mW at V = 10 V, I = 6 A  
GS D  
DS(on  
WDFN8 3x3, 0.65P  
(Power 33)  
= 32 mW at V = 4.5 V, I = 5 A  
DS(on)  
GS  
D
CASE 511DE  
• Q2: N−Channel  
♦ Max r  
♦ Max r  
= 9.5 mW at V = 10 V, I = 9 A  
GS D  
DS(on)  
= 13.5 mW at V = 4.5 V, I = 7 A  
DS(on)  
GS  
D
• This Device is Pb−Free, Halide Free and is RoHS Compliant  
MARKING DIAGRAM  
Applications  
$Y&Z&2&K  
FDMC  
• Mobile Computing  
• Mobile Internet Devices  
• General Purpose Point of Load  
8200  
$Y  
&Z  
&2  
&K  
= Logo  
= Assembly Plant Code  
= 2−Digit Date Code  
= 2−Digits Lot Run Traceability Code  
FDMC8200 = Device Code  
PIN ASSIGNMENT  
Q2  
S2  
S2  
S2  
G2  
5
6
7
8
4
3
2
1
D1  
D1  
D1  
G1  
Q1  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information on page 9 of  
this data sheet.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2009  
1
Publication Order Number:  
February, 2023 − Rev. 1  
FDMC8200/D  
1234567...11

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDMC8200S FAIRCHILD

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 		暂无描述
FDMC8200S ONSEMI

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 		双 N 沟道，PowerTrench® MOSFET，30V，10mΩ，20mΩ
FDMC8296 FAIRCHILD

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 		N-Channel Power Trench㈢ MOSFET 30V, 18A, 8.0m
FDMC8296 ONSEMI

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 		N 沟道，Power Trench® MOSFET，30V，18A，8.0mΩ
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FDMC8321L ONSEMI

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