是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Active |
包装说明: | , | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.29.00.95 |
Factory Lead Time: | 26 weeks | 风险等级: | 1.12 |
Samacsys Description: | MOSFET 150V Dual N &P Chnl PowerTrench MOSFET | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 6.3 A |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-609代码: | e4 |
湿度敏感等级: | 1 | 最高工作温度: | 150 °C |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | N-CHANNEL AND P-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 14 W | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag) |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FDMC8200 | FAIRCHILD |
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Dual N-Channel PowerTrench? MOSFET 30 V, 9.5 | |
FDMC8200 | ONSEMI |
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双 N 沟道,PowerTrench® MOSFET,30V,9.5mΩ 和 20mΩ | |
FDMC8200S | FAIRCHILD |
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暂无描述 | |
FDMC8200S | ONSEMI |
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双 N 沟道,PowerTrench® MOSFET,30V,10mΩ,20mΩ | |
FDMC8296 | FAIRCHILD |
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N-Channel Power Trench㈢ MOSFET 30V, 18A, 8.0m | |
FDMC8296 | ONSEMI |
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N 沟道,Power Trench® MOSFET,30V,18A,8.0mΩ | |
FDMC8296_10 | FAIRCHILD |
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N-Channel Power Trench® MOSFET 30V, 18A, 8.0 | |
FDMC8321L | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 40V, 0.0025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
FDMC8321L | ONSEMI |
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N 沟道 Power Trench® MOSFET 40V,49A,2.5mΩ | |
FDMC8321LDC | ONSEMI |
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N 沟道,Power Trench® MOSFET,40V,108A,2.5mΩ |