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FDMC8010

更新时间： 2024-11-18 11:57:59

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体晶体管开关脉冲光电二极管
页数	文件大小	规格书
12页	3236K
描述
New Products, Tips and Tools for Power and Mobile Applications

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FDMC8010 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	QFN
包装说明：	ROHS COMPLIANT, POWER 33, 8 PIN	针数：	8
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.73
Samacsys Description：	MOSFET FET 30V 1.3 MOHM PQFN33	其他特性：	ULTRA LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）：	153 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	75 A	最大漏极电流 (ID)：	30 A
最大漏源导通电阻：	0.0013 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	MO-240BA	JESD-30 代码：	S-PDSO-N5
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	5
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	SQUARE
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	54 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	120 A	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FDMC8010 数据手册

™

BENCHMarks

New Products, Tips and Tools for Power and Mobile Applications

VOL. 3, 2012

Greater Noise Immunity, Less Power

Dissipation for Automotive Applications

Advantages

The FAN7171 (high-current, high-side gate driver IC) and FAN7190 (high-current,

high- and low-side gate driver IC) deliver increased efﬁciency, higher drive current

and greater noise immunity. These devices are optimized for electric and hybrid

electric DC-DC power conversion, high-voltage auxiliaries, diesel and gasoline

fuel injection, and other high-power MOSFET and IGBT driver applications. The

FAN7171 can drive high-speed, high-side MOSFETs and IGBTs that operate

up to +600V, while the FAN7190 can independently drive high- and low-side

MOSFETs and IGBTs that also operate up to +600V. Both devices are highly

integrated and provide increased functionality, resulting in reduced component

count, bill of material costs and board space.

•ꢀ Greaterꢀnoiseꢀimmunity:ꢀ

ꢀ negativeꢀvoltageꢀswingꢀ(VS)ꢀꢀ

ꢀ downꢀtoꢀ–9.8Vꢀatꢀ15V_BS

•ꢀ Currentꢀdrivingꢀcapabilityꢀ

ꢀ ofꢀ4.5A/4.5Aꢀsourcing/sinkingꢀꢀ

•ꢀ QualiﬁedꢀtoꢀAEC-Q100ꢀꢀ

ꢀ AutomotiveꢀClassꢀ1

Applications

•ꢀ Bodyꢀelectronics

•ꢀ Powertrain

For more information, please visit:

fairchildsemi.com/pf/FA/FAN7171_F085.html

fairchildsemi.com/pf/FA/FAN7190_F085.html

High-Current, High-Voltage Gate Drivers:

FAN7171, High-Side and FAN7190 High- & Low-Side

Floating

Offset

Voltage

(Max) (V)

Supply

t_ON

T^Oy^Fp^F

Pulsed

Output

Current

(mA)

t_r/t_f

Typ

(nS)

Product

Number

Voltage Voltage

Recharge

Package

(Min)

(V)

(Max)

(V)

(nS)

150/

150

25/

4000/

4000

FAN7171_F085

FAN7190_F085

600

Bootstrap

SO-8

140/

140

25/

4500/

4500

12 3 4 5 6 7...12

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与FDMC8010相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FDMC8010DC	ONSEMI	获取价格	N 沟道 Dual CoolTM 33 PowerTrench® MOSFET 30V，1
FDMC8010ET30	ONSEMI	获取价格	N 沟道，PowerTrench® MOSFET，30V，174A，1.3mΩ
FDMC8015L	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 40V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
FDMC8015L	ONSEMI	获取价格	N 沟道，Power Trench® MOSFET，40V，18A，26mΩ
FDMC8026S	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel PowerTrenchÂ® SyncFETTM
FDMC8026S	ONSEMI	获取价格	30V N沟道PowerTrench® SyncFET™
FDMC8030	FAIRCHILD	获取价格	Dual N-Channel Power TrenchÂ® MOSFET 40 V, 12
FDMC8030	ONSEMI	获取价格	双 N 沟道，Power Trench® MOSFET，40V，12A，10mΩ
FDMC8032L	ONSEMI	获取价格	双 N 沟道 PowerTrench® MOSFET 40V，7A，20mΩ
FDMC8097AC	ONSEMI	获取价格	双 N 和 P 沟道 PowerTrench® MOSFET 150V

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