是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Active |
包装说明: | SMALL OUTLINE, S-PDSO-N5 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.29.00.95 |
Factory Lead Time: | 20 weeks | 风险等级: | 0.98 |
雪崩能效等级(Eas): | 153 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 174 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 174 A | 最大漏极电流 (ID): | 174 A |
最大漏源导通电阻: | 0.0013 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最大反馈电容 (Crss): | 250 pF | JESD-30 代码: | S-PDSO-N5 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 5 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 65 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 835 A | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Tin (Sn) | 端子形式: | NO LEAD |
端子位置: | DUAL | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | 最大关闭时间(toff): | 75 ns |
最大开启时间(吨): | 42 ns | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FDMC8015L | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 40V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta | |
FDMC8015L | ONSEMI |
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N 沟道,Power Trench® MOSFET,40V,18A,26mΩ | |
FDMC8026S | FAIRCHILD |
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N-Channel PowerTrench® SyncFETTM | |
FDMC8026S | ONSEMI |
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30V N沟道PowerTrench® SyncFET™ | |
FDMC8030 | FAIRCHILD |
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Dual N-Channel Power Trench® MOSFET 40 V, 12 | |
FDMC8030 | ONSEMI |
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双 N 沟道,Power Trench® MOSFET,40V,12A,10mΩ | |
FDMC8032L | ONSEMI |
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双 N 沟道 PowerTrench® MOSFET 40V,7A,20mΩ | |
FDMC8097AC | ONSEMI |
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双 N 和 P 沟道 PowerTrench® MOSFET 150V | |
FDMC8200 | FAIRCHILD |
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Dual N-Channel PowerTrench? MOSFET 30 V, 9.5 | |
FDMC8200 | ONSEMI |
获取价格 |
双 N 沟道,PowerTrench® MOSFET,30V,9.5mΩ 和 20mΩ |