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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | MLP |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, S-PDSO-N5 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.72 |
| 其他特性： | ULTRA-LOW RESISTANCE | 雪崩能效等级（Eas）： | 60 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 18 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 14.8 A | 最大漏源导通电阻： | 0.006 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | S-PDSO-N5 |
| JESD-609代码： | e4 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 5 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 2.3 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 45 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRFHM830TRPBF | INFINEON |
功能相似  |
Battery Operated DC Motor Inverter MOSFET |
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| FDMC7692 | FAIRCHILD |
功能相似 |
N-Channel Power Trench® MOSFET 30 V, 13.3 A, |
|
| FDMC6679AZ | FAIRCHILD |
功能相似 |
P-Channel PowerTrench® MOSFET -30 V, -20 A, 1 |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDMC7672S | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 14.8A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| FDMC7672S | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，Power Trench® SyncFET™，30V，14.8A，6.0mΩ |
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| FDMC7672S-F125 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| FDMC7672S-F127 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
|
| FDMC7678 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 17.5A I(D), 30V, 0.0053ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, |
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| FDMC7678 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，30V，19.5A，5.3mΩ |
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| FDMC7680 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power Trench® MOSFET 30 V, 14.8 A, |
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| FDMC7680 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，Power Trench® MOSFET，30V，14.8A，7.2mΩ |
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| FDMC7692 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power Trench® MOSFET 30 V, 13.3 A, |
|
| FDMC7692 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道 PowerTrench® MOSFET 30V，13.3A，8.5mΩ |
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