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FDMC7680 PDF预览

FDMC7680

更新时间： 2023-09-03 20:29:18
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 279K
描述
N 沟道，Power Trench® MOSFET，30V，14.8A，7.2mΩ

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FDMC7680 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, S-PDSO-N5Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：23 weeks风险等级：0.96
Is Samacsys：N其他特性：ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）：72 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：18 A最大漏极电流 (ID)：14.8 A
最大漏源导通电阻：0.0072 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：S-PDSO-N5JESD-609代码：e4
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：SQUARE封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2.3 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：45 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag)
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDMC7680 数据手册

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DATA SHEET  
www.onsemi.com  
MOSFET – N-Channel,  
POWERTRENCH)  
V
R
MAX  
I MAX  
D
DS  
DS(ON)  
30 V  
7.2 mW @ 10 V  
9.5 mW @ 4.5 V  
14.8 A  
30 V, 14.8 A, 7.2 mW  
FDMC7680  
General Description  
This N−Channel MOSFET is produced using onsemi’s advanced  
POWERTRENCH process that has been especially tailored  
to minimize the on−state resistance. This device is well suited  
for Power Management and load switching applications common in  
Notebook Computers and Portable Battery Packs.  
D
G
5
6
7
4
S
S
D
D
3
2
1
S
D
8
N-CHANNEL MOSFET  
Features  
• Max R  
• Max R  
= 7.2 mW at V = 10 V, I = 14.8 A  
GS D  
DS(on)  
= 9.5 mW at V = 4.5 V, I = 12.4 A  
Pin 1  
G
DS(on)  
GS  
D
S
S
• High Performance Technology for Extremely Low R  
• Pb−Free, Halide Free and RoHS Compliant  
DS(on)  
S
D
D
D
D
Applications  
Top  
Bottom  
• DC−DC Buck Converters  
• Notebook Battery Power Management  
• Load Switch in Notebook  
WDFN8 3.3 y 3.3, 0.65P  
CASE 511DH  
MARKING DIAGRAM  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Symbol  
Parameter  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
Drain Current:  
Value  
30  
Unit  
V
Pin 1 Dot  
FDMC  
V
DS  
V
GS  
7680  
ALYW  
G
20  
V
I
D
A
Continuous, T = 25°C  
18  
14.8  
45  
C
Continuous, T = 25°C (Note 1a)  
A
FDMC7680 = Specific Device Code  
Pulsed  
A
= Assembly Site  
E
Single Pulse Avalanche Energy  
(Note 3)  
72  
mJ  
W
L
= Wafer Lot Number  
= Assembly Start Week  
= Pb−Free Package  
AS  
YW  
G
P
Power Dissipation:  
D
T
A
= 25°C  
31  
2.3  
C
T = 25°C (Note 1a)  
ORDERING INFORMATION  
T , T  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
−55 to +150  
°C  
J
STG  
†
Device  
FDMC7680  
Package  
Shipping  
3000 /  
Tape & Reel  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
WDFN8  
(Pb−Free,  
Halide Free)  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2011  
1
Publication Order Number:  
March, 2023 − Rev. 3  
FDMC7680/D  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDMC7692 FAIRCHILD

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 		N-Channel Power Trench® MOSFET 30 V, 13.3 A,
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FDMC7692_10 FAIRCHILD

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