5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > FDMC7678
FDMC7678 PDF预览

FDMC7678

更新时间： 2023-09-03 20:36:37
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 412K
描述
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，30V，19.5A，5.3mΩ

阅读下载

中文翻译

获取价格

FDMC7678 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, S-PDSO-N5Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：23 weeks风险等级：1.53
其他特性：ULTRA-LOW RESISTANCE雪崩能效等级（Eas）：54 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：19.5 A
最大漏极电流 (ID)：17.5 A最大漏源导通电阻：0.0053 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：MO-240BA
JESD-30 代码：S-PDSO-N5JESD-609代码：e4
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：SQUARE封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：31 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：70 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDMC7678 数据手册

 浏览型号FDMC7678的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FDMC7678的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FDMC7678的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FDMC7678的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FDMC7678的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FDMC7678的Datasheet PDF文件第7页 
DATA SHEET  
www.onsemi.com  
MOSFET – N-Channel,  
POWERTRENCH)  
V
R
MAX  
I MAX  
D
DSS  
DS(on)  
30 V  
5.3 mW @ 10 V  
6.8 mW @ 4.5 V  
19.5 A  
30 V, 19.5 A, 5.3 mW  
Pin 1  
S
8
S
S
G
7
FDMC7678  
6
5
D
1
General Description  
D
2
D
3
D
This N−Channel MOSFET is produced using onsemi’s advanced  
4
®
POWERTRENCH process that has been especially tailored to  
Bottom  
Top  
minimize the on−state resistance. This device is well suited for Power  
Management and load switching applications common in Notebook  
Computers and Portable Battery Packs.  
WDFN8 3.3x3.3, 0.65P  
CASE 511DR  
Features  
MARKING DIAGRAM  
• Max r  
• Max r  
= 5.3 mW at V = 10 V, I = 17.5 A  
GS D  
DS(on)  
DS(on)  
= 6.8 mW at V = 4.5 V, I = 15.0 A  
GS  
D
FDMC  
7678  
AYWWG  
G
• High Performance Technology for Extremely Low r  
DS(on)  
• This Device is Pb−Free, Halide Free and is RoHS Compliant  
Applications  
FDMC7678 = Specific Device Code  
• DC − DC Buck Converters  
• Notebook Battery Power Management  
• Load Switch in Notebook  
A
Y
WW  
G
= Assembly Location  
= Year  
= Work Week  
= Pb−Free Package  
(Note: Microdot may be in either location)  
PIN ASSIGNMENT  
D
D
D
D
5
6
7
8
4
3
2
1
G
S
S
S
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information on page 6 of  
this data sheet.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2010  
1
Publication Order Number:  
December, 2022 − Rev. 3  
FDMC7678/D  
12345678

中文翻译

下载PDF

与FDMC7678相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDMC7680 FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel Power Trench® MOSFET 30 V, 14.8 A,
FDMC7680 ONSEMI

获取价格

 		N 沟道，Power Trench® MOSFET，30V，14.8A，7.2mΩ
FDMC7692 FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel Power Trench® MOSFET 30 V, 13.3 A,
FDMC7692 ONSEMI

获取价格

 		N 沟道 PowerTrench® MOSFET 30V，13.3A，8.5mΩ
FDMC7692_10 FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel Power Trench® MOSFET
FDMC7692S FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel Power Trench? SyncFETTM
FDMC7692S ONSEMI

获取价格

 		N 沟道，Power Trench® SyncFET™，30V，18A，9.3mΩ
FDMC7692S-F125 FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
FDMC7692S-F126 FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
FDMC7692S-F127 FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

与FDMC7678相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证